供应 场效应管 FDPF51N25YDTU FDPF51N25
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FDPF51N25YDTU | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD（飞兆） | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1000/盒 |
产品型号:FDPF51N25YDTU
封装:TO-220F
品牌：FAIRCHILD/仙童
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):250
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):51
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.2 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):38
输入电容Ciss(PF):2620 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：43
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):1111
导通延迟时间Td(on)(ns):62 typ.
上升时间Tr(ns):465 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):98 typ.
下降时间Tf(ns):130 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:FDPF51N25YDTU,250V,51A,0.06Ω N-沟道增强型场效应晶体管
Features
51A, 250V, RDS(on) = 0.06Ω @VGS = 10 V
Low gate charge ( typical 55 nC)
Low Crss ( typical 63 pF)
Fast switching
Improved dv/dt capability
深圳市金城微零件有限公司
地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E
经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等
(产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\.)
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 方小姐/陈小姐/刘小姐/钟小姐
- 电话：0755-82814431/82814432
- 传真：0755-83957820
- 手机：15914096884
- QQ ：
供应 场效应管 IPS09N03LAG
信息内容：产品型号:IPS09N03LAG 特点 * 非常适于高频DC / DC转换器 * 符合到JEDEC1）为目标的应用程序 * N沟道逻辑电平 * 的栅极电荷x R DS（ON）产品（FOM） * 卓越的热电阻 * 175℃的工作温度 * 无铅引脚电镀，符合RoHS 封装:TO-251短 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):25 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):50 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0086 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2 功率PD(W):63 极间电容Ciss(PF):1235 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：46 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):75 温度(℃): -55 ~175 描述:IPS09N03LAG,25V,50A OptiMOS2 Power-Transistor 如需了解更多的产品信息: 1、直接与我司工作人员联系! (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 2SK4013 K4013 2SK3879 K3879
信息内容：MOS管参数解释 MOS管介绍 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，一般都要考虑MOS的导通电阻，电压等，电流等因素。 MOSFET管是FET的一种，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，一般主要应用的为增强型的NMOS管和增强型的PMOS管，所以通常提到的就是这两种。 这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。 在MOS管内部，漏极和源极之间会寄生一个二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载(如马达)，这个二极管很重要，并且只在单个的MOS管中存在此二极管，在集成电路芯片内部通常是没有的。 MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免。 MOS管导通特性 导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。 NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到一定电压（如4V或10V, 其他电压，看手册）就可以了。 PMOS的特性，Vgs小...
