供应 场效应管 IPS09N03LAG
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | IPS09N03LAG | |
| 品牌/商标： | INFINEON（英飞凌） | |
| 封装形式： | TO-251 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 单件包装 |
产品型号:IPS09N03LAG
特点
* 非常适于高频DC / DC转换器
* 符合到JEDEC1）为目标的应用程序
* N沟道逻辑电平
* 的栅极电荷x R DS（ON）产品（FOM）
* 卓越的热电阻
* 175℃的工作温度
* 无铅引脚电镀，符合RoHS
封装:TO-251短
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):25
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):50
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0086 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2
功率PD(W):63
极间电容Ciss(PF):1235
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：46
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):75
温度(℃): -55 ~175
描述:IPS09N03LAG,25V,50A OptiMOS2 Power-Transistor
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供应 场效应管 2SK4013 K4013 2SK3879 K3879
信息内容：MOS管参数解释 MOS管介绍 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，一般都要考虑MOS的导通电阻，电压等，电流等因素。 MOSFET管是FET的一种，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，一般主要应用的为增强型的NMOS管和增强型的PMOS管，所以通常提到的就是这两种。 这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。 在MOS管内部，漏极和源极之间会寄生一个二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载(如马达)，这个二极管很重要，并且只在单个的MOS管中存在此二极管，在集成电路芯片内部通常是没有的。 MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免。 MOS管导通特性 导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。 NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到一定电压（如4V或10V, 其他电压，看手册）就可以了。 PMOS的特性，Vgs小...
供应 场效应管 RCX450N20 EMD50N15F
信息内容：RCX450N20,TO-220F,DIP/MOS,N场,200V,45A,0.055Ω 10V Drive Nch MOSFET 产品型号:RCX450N20 特点: 1)低导通电阻。 2）高速开关。 3）保证到±30V的栅源电压VGSS 4）高功率封装（TO-220FM） 封装:to-220f 品牌：ROHM 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):200 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):45 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):.055 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):5 功率PD(W):40 描述:RCX450N20,200V,45A,0.055Ω N-沟道增强型场效应晶体管 MOS管参数解释 MOS管介绍 Mosfet参数含义说明 Features: Vds： DS击穿电压.当Vgs=0V时，MOS的DS所能承受的电压 Rds(on)：DS的导通电阻.当Vgs=10V时，MOS的DS之间的电阻 Id： DS电流.会随温度的升高而降低 Vgs: GS电压.一般为：-20V~+20V Idm: 脉冲DS电流.会随温度的升高而降低，体现一个抗冲击能力，跟脉冲时间也有关系 Pd: 耗散功率 Tj: 工作结温，通常为150度和175度 Tstg: 存储温度 Iar: 雪崩电流 Ear: 重复雪崩击穿能量 Eas: 单次脉冲雪崩击穿能量 BVdss： ...
