供应 三极管 D45H5
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | D45H5 | |
| 品牌/商标： | ST（意法半导体） | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1000/盒 | |
| 极性： | PNP型 |
产品型号:D45H5
特点:
* STM的销售类型
* 低集电极 - 发射极饱和电压
* 快速开关速度
应用:
* 一般目的开关
* 一般用途的开关和
* 放大器
* 各种开关和一般用途的应用程序。
封装:TO-220
品牌：ST
通道极性:PNP
集电极-发射极电压VCEO(V):-45
发射极-基极电压VEBO(V):-5
集电极电流 IC(A):-10
功率PC(W):50
放大倍数hFE:40-70 60-120
集电极-发射极饱和电压VCEsat(V) :-1
结温Tj(℃)150
存储温度T stg(℃): -55 ~150
描述:D45H5,TO-220,-45V,-5A, PNP硅晶体管
金城微零件在半导体行业中以主营场效应管而独具特色，我们以大量现货为优势，可根据参数需要
为客户提供应用型号，致力成为该领域在华南地区供应商之一，为客户提供相关应用质的
技术支持。
地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E
经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等
深圳市金城微零件有限公司
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 2SK3869,K3869,2SK3757,K3757
信息内容：产品型号:2SK3869 应用：Switching Regulator Applications/开关稳压器应用 特点： * 低漏源导通电阻: RDS (ON) = 0.55 Ω (typ.) * 正向转移导纳: |Yfs| = 5.5 S (typ.) * 低漏电流: IDSS = 100 μA (VDS = 450 V) * 增强模式: Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) 封装:TO-220F 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):450 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):10 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.68 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):40 输入电容Ciss(PF):1050 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：5.5 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):222 导通延迟时间Td(on)(ns):60 typ. 上升时间Tr(ns):25 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):130 typ. 下降时间Tf(ns):40 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:2SK3869,TO-22OF定型脚,DIP/MOS,N场,450V,10A,0.68Ω N-沟道增强型场效应晶体管 深圳市金城微零件有限公司 地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E 经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压...
供应 场效应管 FDPF51N25YDTU FDPF51N25
信息内容：产品型号:FDPF51N25YDTU 封装:TO-220F 品牌：FAIRCHILD/仙童 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):250 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):51 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.2 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):38 输入电容Ciss(PF):2620 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：43 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):1111 导通延迟时间Td(on)(ns):62 typ. 上升时间Tr(ns):465 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):98 typ. 下降时间Tf(ns):130 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:FDPF51N25YDTU,250V,51A,0.06Ω N-沟道增强型场效应晶体管 Features 51A, 250V, RDS(on) = 0.06Ω @VGS = 10 V Low gate charge ( typical 55 nC) Low Crss ( typical 63 pF) Fast switching Improved dv/dt capability 深圳市金城微零件有限公司 地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E 经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等 (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
