供应 场效应管 TPCC8076 TPCC8062-H
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | TPCC8076 | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | QFN-8 3.3*3.3 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 5000/盘 |
产品型号:TPCC8076,QFN-8 3.3*3.3,SMD/MOS,N场,33V,27A,0.0046Ω
应用:
* Lithium Ion Battery Applications/锂离子电池应用
* Notebook PC Applications/笔记本电脑应用
* Mobile Handsets/移动手机
特点:
* 超薄小体积封装
* 低漏源导通电阻: RDS(ON) = 3.7 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)
* 低漏电流: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 33 V)
* 增强模式: Vth = 1.3 to 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 0.3 mA)
* 带二极ESD保护
封装:QFN-8 3.3*3.3
品牌：TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):33
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):27
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0046 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2.3
功率PD(W):39
输入电容Ciss(PF):2500 typ.
通道极性:N沟道
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):82
导通延迟时间Td(on)(ns):10 typ.
上升时间Tr(ns):2.9 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):48 typ.
下降时间Tf(ns):9.5 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:TPCC8076,33V,27A,0.0046Ω N-沟道增强型场效应晶体管
深圳市金城微零件有限公司
地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E
经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等
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供应 三极管 D45H5
信息内容：产品型号:D45H5 特点: * STM的销售类型 * 低集电极 - 发射极饱和电压 * 快速开关速度 应用: * 一般目的开关 * 一般用途的开关和 * 放大器 * 各种开关和一般用途的应用程序。 封装:TO-220 品牌：ST 通道极性:PNP 集电极-发射极电压VCEO(V):-45 发射极-基极电压VEBO(V):-5 集电极电流 IC(A):-10 功率PC(W):50 放大倍数hFE:40-70 60-120 集电极-发射极饱和电压VCEsat(V) :-1 结温Tj(℃)150 存储温度T stg(℃): -55 ~150 描述:D45H5,TO-220,-45V,-5A, PNP硅晶体管 金城微零件在半导体行业中以主营场效应管而独具特色，我们以大量现货为优势，可根据参数需要 为客户提供应用型号，致力成为该领域在华南地区供应商之一，为客户提供相关应用质的 技术支持。 地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E 经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等 深圳市金城微零件有限公司 地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E 经营：各种三极管、场效应管、可...
供应 场效应管 2SK3869,K3869,2SK3757,K3757
信息内容：产品型号:2SK3869 应用：Switching Regulator Applications/开关稳压器应用 特点： * 低漏源导通电阻: RDS (ON) = 0.55 Ω (typ.) * 正向转移导纳: |Yfs| = 5.5 S (typ.) * 低漏电流: IDSS = 100 μA (VDS = 450 V) * 增强模式: Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) 封装:TO-220F 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):450 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):10 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.68 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):40 输入电容Ciss(PF):1050 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：5.5 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):222 导通延迟时间Td(on)(ns):60 typ. 上升时间Tr(ns):25 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):130 typ. 下降时间Tf(ns):40 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:2SK3869,TO-22OF定型脚,DIP/MOS,N场,450V,10A,0.68Ω N-沟道增强型场效应晶体管 深圳市金城微零件有限公司 地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E 经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压...
