价 格: | 面议 | |
型号/规格: | TPC8062-H | |
品牌/商标: | TOSHIBA(东芝) | |
封装形式: | SOP-8 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 3000/盘 |
产品型号:TPC8062-H,SOP-8,SMD/MOS,N场,30V,18A,0.0058Ω
应用:
* 高效率的DC-DC转换器
* 笔记本电脑
* 移动手机
特点:
* 超薄小体积封装
* 高速开关
* 小栅极电荷: QSW = 7.4 nC (typ.)
* 低漏源导通电阻: RDS (ON) = 5.6 mΩ (typ.) (VGS = 4.5 V)
* 低漏电流: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 30 V)
* 增强模式: Vth = 1.3 to 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 0.3 mA)
封装:SOP-8
品牌:TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):18
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0058 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2.3
功率PD(W):1.9
输入电容Ciss(PF):2400 typ.
通道极性:N沟道
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):210
导通延迟时间Td(on)(ns):11 typ.
上升时间Tr(ns):3 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):37 typ.
下降时间Tf(ns):9.7 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:TPC8062-H,30V,18A,0.0058Ω N-沟道增强型场效应晶体管
深圳市金城微零件有限公司
地址:深圳市福田区华富路航都大厦13E
经营:各种三极管、场效应管、可控硅、稳压IC、开关电源IC、肖特基、IGBT等
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产品型号:TPCC8076,QFN-8 3.3*3.3,SMD/MOS,N场,33V,27A,0.0046Ω 应用: * Lithium Ion Battery Applications/锂离子电池应用 * Notebook PC Applications/笔记本电脑应用 * Mobile Handsets/移动手机 特点: * 超薄小体积封装 * 低漏源导通电阻: RDS(ON) = 3.7 mΩ (typ.) (VGS = 10 V) * 低漏电流: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 33 V) * 增强模式: Vth = 1.3 to 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 0.3 mA) * 带二极ESD保护 封装:QFN-8 3.3*3.3 品牌:TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):33 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):27 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0046 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2.3 功率PD(W):39 输入电容Ciss(PF):2500 typ. 通道极性:N沟道 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):82 导通延迟时间Td(on)(ns):10 typ. 上升时间Tr(ns):2.9 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):48 typ. 下降时间Tf(ns):9.5 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:TPCC8076,33V,27A,0.0046Ω N-沟道增强型场效应晶体管 深圳市金城微零件有限公司 ...
产品型号:D45H5 特点: * STM的销售类型 * 低集电极 - 发射极饱和电压 * 快速开关速度 应用: * 一般目的开关 * 一般用途的开关和 * 放大器 * 各种开关和一般用途的应用程序。 封装:TO-220 品牌:ST 通道极性:PNP 集电极-发射极电压VCEO(V):-45 发射极-基极电压VEBO(V):-5 集电极电流 IC(A):-10 功率PC(W):50 放大倍数hFE:40-70 60-120 集电极-发射极饱和电压VCEsat(V) :-1 结温Tj(℃)150 存储温度T stg(℃): -55 ~150 描述:D45H5,TO-220,-45V,-5A, PNP硅晶体管 金城微零件在半导体行业中以主营场效应管而独具特色,我们以大量现货为优势,可根据参数需要 为客户提供应用型号,致力成为该领域在华南地区供应商之一,为客户提供相关应用质的 技术支持。 地址:深圳市福田区华富路航都大厦13E 经营:各种三极管、场效应管、可控硅、稳压IC、开关电源IC、肖特基、IGBT等 深圳市金城微零件有限公司 地址:深圳市福田区华富路航都大厦13E 经营:各种三极管、场效应管、可...