供应 场效应管 AP9565GEH 9565GEH
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | AP9565GEH | |
| 品牌/商标： | AP/富鼎 | |
| 封装形式： | SOT-252 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 2500/盘 |
产品型号:AP9565GEH,SOT-252,SMD/MOS,P场,-40V,-24A,0.038Ω
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
描述:
先进的功率MOSFET提供从APEC设计师与快速切换的组合，坚固耐用的设备设计，低导通电阻
和成本效益。
TO-252封装，广泛的商业工业表面贴装应用的，适合于低电压应用，如DC/ DC转换器。通孔
版本（AP9565GEJ）可用于低配置应用程序。
特点:
* 低导通电阻
* 简单的驱动器要求
* 快速开关特性
* 带ESD二极保护
封装:SOT-252
品牌：AP/富鼎
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-40
夹断电压VGS(V):±16
漏极电流Id(A):-24
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0038 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):-2.5
功率PD(W):35.7
输入电容Ciss(PF):765 typ.
通道极性:P沟道
低频跨导gFS(s)：13
导通延迟时间Td(on)(ns):8 typ.
上升时间Tr(ns):6 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):28 typ.
下降时间Tf(ns):16 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:AP9565GEH,-40V,-24A,0.038Ω P-沟道增强型场效应晶体管
深圳市金城微零件有限公司
地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E
经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等
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供应 场效应管 TPC8062-H TPC8085
信息内容：产品型号:TPC8062-H,SOP-8,SMD/MOS,N场,30V,18A,0.0058Ω 应用: * 高效率的DC-DC转换器 * 笔记本电脑 * 移动手机 特点: * 超薄小体积封装 * 高速开关 * 小栅极电荷: QSW = 7.4 nC (typ.) * 低漏源导通电阻: RDS (ON) = 5.6 mΩ (typ.) (VGS = 4.5 V) * 低漏电流: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 30 V) * 增强模式: Vth = 1.3 to 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 0.3 mA) 封装:SOP-8 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):18 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0058 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2.3 功率PD(W):1.9 输入电容Ciss(PF):2400 typ. 通道极性:N沟道 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):210 导通延迟时间Td(on)(ns):11 typ. 上升时间Tr(ns):3 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):37 typ. 下降时间Tf(ns):9.7 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:TPC8062-H,30V,18A,0.0058Ω N-沟道增强型场效应晶体管 深圳市金城微零件有限公司 地址：深圳市福田区华富路航都大厦1...
供应 场效应管 TPCC8076 TPCC8062-H
信息内容：产品型号:TPCC8076,QFN-8 3.3*3.3,SMD/MOS,N场,33V,27A,0.0046Ω 应用: * Lithium Ion Battery Applications/锂离子电池应用 * Notebook PC Applications/笔记本电脑应用 * Mobile Handsets/移动手机 特点: * 超薄小体积封装 * 低漏源导通电阻: RDS(ON) = 3.7 mΩ (typ.) (VGS = 10 V) * 低漏电流: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 33 V) * 增强模式: Vth = 1.3 to 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 0.3 mA) * 带二极ESD保护 封装:QFN-8 3.3*3.3 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):33 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):27 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0046 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2.3 功率PD(W):39 输入电容Ciss(PF):2500 typ. 通道极性:N沟道 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):82 导通延迟时间Td(on)(ns):10 typ. 上升时间Tr(ns):2.9 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):48 typ. 下降时间Tf(ns):9.5 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:TPCC8076,33V,27A,0.0046Ω N-沟道增强型场效应晶体管 深圳市金城微零件有限公司 ...
