FNK3404 MOSFET介绍
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FNK3404 | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | SOT-23 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 | |
| 功率特征： | 小功率 |
MOSFET介绍：金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。
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要使增强型N沟道MOSFET工作，要在G、S之间加正电压VGS及在D、S之间加正电压VDS，则产生正向工作电流ID。改变VGS的电压可控制工作电流ID。
若先不接VGS（即VGS=0），在D与S极之间加一正电压VDS，漏极D与衬底之间的PN结处于反向，因此漏源之间不能导电。如果在栅极G与源极S之间加一电压VGS。此时可以将栅极与衬底看作电容器的两个极板，而氧化物绝缘层作为电容器的介质。当加上VGS时，在绝缘层和栅极界面上感应出正电荷，而在绝缘层和P型衬底界面上感应出负电荷（如图3）。这层感应的负电荷和P型衬底中的多数载流子（空穴）的极性相反，所以称为“反型层”，这反型层有可能将漏与源的两N型区连接起来形成导电沟道。当VGS电压太低时，感应出来的负电荷较少，它将被P型衬底中的空穴中和，因此在这种情况时，漏源之间仍然无电流ID。当VGS增加到一定值时，其感应的负电荷把两个分离的N区沟通形成N沟道，这个临界电压称为开启电压（或称阈值电压、门限电压），用符号VT表示（一般规定在ID=10uA时的VGS作为VT）。当VGS继续增大，负电荷增加，导电沟道扩大，电阻降低，ID也随之增加，并且呈较好线性关系，如图4所示。此曲线称为转换特性。因此在一定范围内可以认为，改变VGS来控制漏源之间的电阻，达到控制ID的作用。
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FNK3400 场效应管MOS 特性稳定
信息内容：场效应管控制工作电流的原理与普通晶体管完全不一样，要比普通晶体管简单得多，场效应管只是单纯地利用外加的输入信号以改变半导体的电阻，实际上是改变工作电流流通的通道大小，而晶体管是利用加在发射结上的信号电压以改变流经发射结的结电流，还包括少数载流子渡越基区后进入集电区等极为复杂的作用过程。场效应管的独特而简单的作用原理导致许多优良的性能，它向使用者散发出诱人的光辉。 场效应管不仅兼有普通晶体管和电子管的优点，而且还具备两者所缺少的优点，场效应管具有双向对称性，即场效应管的源和漏是可以互换的( 无阻尼)，一般的晶体管是不容易做到这一点的，电子管是根本不可能达到这一点。所谓双向对称性，对普通晶体管来说，就是发射极和集电极互换，对电子管来说，就是将阴极和阳极互换。 场效应管与普通晶体管相比具有输入阻抗高、噪声系数小、热稳定性好、动态范围大等优点。它是一种压控器件，有与电子管相似的传输特性，因而在高保真音响设备和集成电路中得到了广泛的应用，其特点显着。 dzsc/19/4422/19442242.jpg dzsc/19/4422/19442242.jpg 场效应管是另一种半导体器件，工作原理...
FNK3400 单端放大器及场效应管
信息内容：音频功率放大器按所用放大器件可分为电子管放大器、晶体管放大器、集成电路放大器、场效应管放大器以及由上述所用器件两种或两种以上组成的混合放大器。各类放大器电路及所用元器件又是五花八门，千变万化 ，由此对音源的重放音质又各具特色，很难说哪一种放大器能以偏概全、技压群芳，成为放大器。 电子管放大器由于空间电荷的传输时滞作用，重放音色温暧柔和，尤其是弦乐人声，醇美剔透，耐人寻味；晶体管以及集成电路放大器具有犀利的分析力、宽畅的频响和强劲的动态，具有朝气蓬勃、催人奋进的感召力；场效应管放大器以及混合器件放大器，力图综合电子管和晶体管音频特性。 无论哪类音响设备，功率放大器依然是音频能量扩大推动扬声器出声不可或缺的终端，各类放大器均能实现，不过现代人们对音响( 技术因素为主，如频率响应、失真度、信噪比等) 和音乐( 艺术魅力为主，如声底是否醇厚、堂音是否丰富、听感是否顺耳等)的苛求愈来愈高，“金耳朵”们能够听出歌手的齿音、口角及深临其境直逼现场的感觉，因此对音频放大器重放音色( 建立在良好音质基础之上) 也寄予更大的企求。 各类音频放大器有各自的优点、属性及不足，场效应管放大器主流兼具晶...
