FNK3400 场效应管MOS 特性稳定
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FNK3400 | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | SOT-23 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 | |
| 功率特征： | 小功率 |
场效应管控制工作电流的原理与普通晶体管完全不一样，要比普通晶体管简单得多，场效应管只是单纯地利用外加的输入信号以改变半导体的电阻，实际上是改变工作电流流通的通道大小，而晶体管是利用加在发射结上的信号电压以改变流经发射结的结电流，还包括少数载流子渡越基区后进入集电区等极为复杂的作用过程。场效应管的独特而简单的作用原理导致许多优良的性能，它向使用者散发出诱人的光辉。
场效应管不仅兼有普通晶体管和电子管的优点，而且还具备两者所缺少的优点，场效应管具有双向对称性，即场效应管的源和漏是可以互换的( 无阻尼)，一般的晶体管是不容易做到这一点的，电子管是根本不可能达到这一点。所谓双向对称性，对普通晶体管来说，就是发射极和集电极互换，对电子管来说，就是将阴极和阳极互换。
场效应管与普通晶体管相比具有输入阻抗高、噪声系数小、热稳定性好、动态范围大等优点。它是一种压控器件，有与电子管相似的传输特性，因而在高保真音响设备和集成电路中得到了广泛的应用，其特点显着。
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场效应管是另一种半导体器件，工作原理与三极管有很大区别。场效应管是电压控制电流的器件，工作时不从前级电路取电流，因此，场效应管电路的输入电阻高。另外，场效应管的制作工艺简单，功率损耗小，在集成电路中有广泛应用。场效应管容易受静电击穿而损坏，使用时要注意保护。
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FNK3400 单端放大器及场效应管
信息内容：音频功率放大器按所用放大器件可分为电子管放大器、晶体管放大器、集成电路放大器、场效应管放大器以及由上述所用器件两种或两种以上组成的混合放大器。各类放大器电路及所用元器件又是五花八门，千变万化 ，由此对音源的重放音质又各具特色，很难说哪一种放大器能以偏概全、技压群芳，成为放大器。 电子管放大器由于空间电荷的传输时滞作用，重放音色温暧柔和，尤其是弦乐人声，醇美剔透，耐人寻味；晶体管以及集成电路放大器具有犀利的分析力、宽畅的频响和强劲的动态，具有朝气蓬勃、催人奋进的感召力；场效应管放大器以及混合器件放大器，力图综合电子管和晶体管音频特性。 无论哪类音响设备，功率放大器依然是音频能量扩大推动扬声器出声不可或缺的终端，各类放大器均能实现，不过现代人们对音响( 技术因素为主，如频率响应、失真度、信噪比等) 和音乐( 艺术魅力为主，如声底是否醇厚、堂音是否丰富、听感是否顺耳等)的苛求愈来愈高，“金耳朵”们能够听出歌手的齿音、口角及深临其境直逼现场的感觉，因此对音频放大器重放音色( 建立在良好音质基础之上) 也寄予更大的企求。 各类音频放大器有各自的优点、属性及不足，场效应管放大器主流兼具晶...
MOSFET工作原理 FNK3404MOSFET
信息内容：MOSFET的核心：金属—氧化层—半导体电容 金属—氧化层—半导体结构MOSFET在结构上以一个金属—氧化层—半导体的电容为核心（如前所述，今日的MOSFET多半以多晶硅取代金属作为其栅极材料），氧化层的材料多半是二氧化硅，其下是作为基极的硅，而其上则是作为栅极的多晶硅。这样子的结构正好等于一个电容器（capacitor），氧化层扮演电容器中介电质（dielectric material）的角色，而电容值由氧化层的厚度与二氧化硅的介电常数（dielectric constant）来决定。栅极多晶硅与基极的硅则成为MOS电容的两个端点。 当一个电压施加在MOS电容的两端时，半导体的电荷分布也会跟著改变。考虑一个p-type的半导体（电洞浓度为NA）形成的MOS电容，当一个正的电压VGB施加在栅极与基极端（如图）时，电洞的浓度会减少，电子的浓度会增加。当VGB够强时，接近栅极端的电子浓度会超过电洞。这个在p-type半导体中，电子浓度（带负电荷）超过电洞（带正电荷）浓度的区域，便是所谓的反转层（inversion layer）。 MOS电容的特性决定了MOSFET的操作特性，但是一个完整的MOSFET结构还需要一个提供多数载子（majority carrier）的源极以及接受这些多数载子的漏极。 ...
