价 格: | 面议 | |
型号/规格: | FNK10N25S | |
品牌/商标: | fnk | |
封装形式: | TSSOP-8 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 卷带编带包装 | |
功率特征: | 小功率 |
惠州市乾野电子是中国研发成功并上量销售650V 超结-MOSFET(SJ-MOSFET)的设计公司,目标成为客户全球价值的功率半导体器件与服务供应商
在集成电路中绝缘性场效应管被叫做mos管。
MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体,确切的说,这个名字描述了集成电路中MOS管的结构,即:在一定结构的半导体器件上,加上二氧化硅和金属,形成栅极。从结构上说,MOS管可以分为增强型(E型)和耗尽型(D型),它们的区别在于当Vgs为0时,增强型(E型)不存在导电沟道,耗尽型(D型)存在导电沟道,原因是E型的导通电压(阈值电压)Vth>0,D型的Vth<0。MOS管形成的电路通称为MOS电路,但又有不同,PMOS逻辑电路称为PMOS电路,NMOS逻辑电路称为NMOS电路,PMOS和NMOS共同组成的逻辑电路称为CMOS集成电路,MOS和BJT组成的电路称为Bi-CMOS集成电路。由于MOS管静态功耗几乎为0,所有的功耗都集中在开关转换的过程中,因此相对BJT而言,MOS管的功耗更低。因此,在现代工业设计中,MOS管主要用于数字逻辑电路中实现开关逻辑(0、1逻辑)。
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场效应管的作用: 1 场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。 2 场效应管可以用作可变电阻。 3 场效应管可以方便地用作恒流源。 4场效应管可以用作电子开关。 场效应管的测试: 1 结型场效应管的管脚识别: 场效应管的栅极相当于晶体管的基极,源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R×1k档,用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等,均为数KΩ时,则这两个管脚为漏极D和源极S(可互换),余下的一个管脚即为栅极G。对于有4个管脚的结型场效应管,另外一极是屏蔽极(使用中接地)。 2 定栅极 用万用表黑表笔碰触管子的一个电极,红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻值都很小,说明均是正向电阻,该管属于N沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极。 制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的,可以互换使用,并不影响电路的正常工作,所以不必加以区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。 注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。因为这种管子的输入电阻极高,栅源间的极间电容又很小...
场效应三极管的型号命名方法: 第二种命名方法是CS××#,CS代表场效应管,××以数字代表型号的序号,#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。 场效应管的参数: 1 I DSS — 饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压U GS=0时的漏源电流。 2 UP — 夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压。 3 UT — 开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压。 4、gM — 跨导。是表示栅源电压U GS — 对漏极电流I D的控制能力,即漏极电流I D变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数。 5、BUDS — 漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的漏源电压。这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。 6、PDSM — 耗散功率。也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的漏源耗散功率。使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。 7、IDSM — 漏源电流。是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的电流。场效应管的工作电流不...