价 格: | 面议 | |
型号/规格: | FNK15H15 | |
品牌/商标: | FNK | |
封装形式: | TO-247 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 直插式 | |
包装方式: | 盒带编带包装 | |
功率特征: | 中功率 |
场效应管的作用:
1 场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
2 场效应管可以用作可变电阻。
3 场效应管可以方便地用作恒流源。
4场效应管可以用作电子开关。
场效应管的测试:
1 结型场效应管的管脚识别:
场效应管的栅极相当于晶体管的基极,源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R×1k档,用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等,均为数KΩ时,则这两个管脚为漏极D和源极S(可互换),余下的一个管脚即为栅极G。对于有4个管脚的结型场效应管,另外一极是屏蔽极(使用中接地)。
2 定栅极
用万用表黑表笔碰触管子的一个电极,红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻值都很小,说明均是正向电阻,该管属于N沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极。
制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的,可以互换使用,并不影响电路的正常工作,所以不必加以区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。
注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。因为这种管子的输入电阻极高,栅源间的极间电容又很小,测量时只要有少量的电荷,就可在极间电容上形成很高的电压,容易将管子损坏。
3 估测场效应管的放大能力
将万用表拨到R×100档,红表笔接源极S,黑表笔接漏极D,相当于给场效应管加上1.5V的电源电压。这时表针指示出的是D-S极间电阻值。然后用手指捏栅极G,将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上。由于管子的放大作用,UDS和ID都将发生变化,也相当于D-S极间电阻发生变化,可观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极时表针摆动很小,说明管子的放大能力较弱;若表针不动,说明管子已经损坏。
dzsc/19/4396/19439696.jpg
dzsc/19/4396/19439696.jpg
场效应三极管的型号命名方法: 第二种命名方法是CS××#,CS代表场效应管,××以数字代表型号的序号,#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。 场效应管的参数: 1 I DSS — 饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压U GS=0时的漏源电流。 2 UP — 夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压。 3 UT — 开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压。 4、gM — 跨导。是表示栅源电压U GS — 对漏极电流I D的控制能力,即漏极电流I D变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数。 5、BUDS — 漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的漏源电压。这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。 6、PDSM — 耗散功率。也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的漏源耗散功率。使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。 7、IDSM — 漏源电流。是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的电流。场效应管的工作电流不...
乾野电子有限公司是中国研发成功并上量销售650V 超结-MOSFET(SJ-MOSFET)的设计公司,目标成为客户全球价值的功率半导体器件与服务供应商。 产品注重发展大功率器件、功率模块和集成器件、压电陀螺仪;性能与可靠性超越同行;应用偏向高端;注重品牌和信誉。 dzsc/19/4412/19441285.jpgdzsc/19/4412/19441285.jpg 增强型 N沟道MOS场效应管 结型场效应管虽然输入电阻很高,但是在有些应用场合下还不够高。在温度较高时,栅源电阻会明显减小。在栅源间的PN结正偏时会出现很大的栅极电流。另外其制作工艺较复杂,大规模集成较困难。绝缘栅型场效应管很好地解决了上述问题。二者导电机理不同,结型场效应管利用控制导电沟道的宽窄来控制电流;而绝缘栅型场效应管利用感应出的电荷多少来控制电流。绝缘栅型场效应管分N沟道和P沟道两种,我们以N沟道绝缘栅型场效应管来介绍其工作原理。从结构图中可以看出,它主要由金属、氧化物和半导体组成,所以也称为MOS管。结构和符号。