价 格: | 面议 | |
型号/规格: | FNK15H15 | |
品牌/商标: | FNK | |
封装形式: | TO-247 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 直插式 | |
包装方式: | 盒带编带包装 | |
功率特征: | 中功率 |
场效应三极管的型号命名方法:
第二种命名方法是CS××#,CS代表场效应管,××以数字代表型号的序号,#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。
场效应管的参数:
1 I DSS — 饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压U GS=0时的漏源电流。
2 UP — 夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压。
3 UT — 开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压。
4、gM — 跨导。是表示栅源电压U GS — 对漏极电流I D的控制能力,即漏极电流I D变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数。
5、BUDS — 漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的漏源电压。这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。
6、PDSM — 耗散功率。也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的漏源耗散功率。使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。
7、IDSM — 漏源电流。是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM
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乾野电子有限公司是中国研发成功并上量销售650V 超结-MOSFET(SJ-MOSFET)的设计公司,目标成为客户全球价值的功率半导体器件与服务供应商。 产品注重发展大功率器件、功率模块和集成器件、压电陀螺仪;性能与可靠性超越同行;应用偏向高端;注重品牌和信誉。 dzsc/19/4412/19441285.jpgdzsc/19/4412/19441285.jpg 增强型 N沟道MOS场效应管 结型场效应管虽然输入电阻很高,但是在有些应用场合下还不够高。在温度较高时,栅源电阻会明显减小。在栅源间的PN结正偏时会出现很大的栅极电流。另外其制作工艺较复杂,大规模集成较困难。绝缘栅型场效应管很好地解决了上述问题。二者导电机理不同,结型场效应管利用控制导电沟道的宽窄来控制电流;而绝缘栅型场效应管利用感应出的电荷多少来控制电流。绝缘栅型场效应管分N沟道和P沟道两种,我们以N沟道绝缘栅型场效应管来介绍其工作原理。从结构图中可以看出,它主要由金属、氧化物和半导体组成,所以也称为MOS管。结构和符号。
惠州市乾野电子有限公司(简称FNK-TECH) 成立于2003 年。 从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售,是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。 产品注重发展大功率器件、功率模块和集成器件、压电陀螺仪;性能与可靠性超越同行;应用偏向高端;注重品牌和信誉。 dzsc/19/4412/19441291.jpgdzsc/19/4412/19441291.jpg 场效应管是另一种半导体器件,工作原理与三极管有很大区别。场效应管是电压控制电流的器件,工作时不从前级电路取电流,因此,场效应管电路的输入电阻高。另外,场效应管的制作工艺简单,功率损耗小,在集成电路中有广泛应用。场效应管容易受静电击穿而损坏,使用时要注意保护。 场效应管有两种:一种称为结型场效应管;另一种是绝缘栅型场效应管,又称MOS管。