价 格: | 面议 | |
型号/规格: | SSM3K17SU | |
品牌/商标: | TOSHIBA(东芝) | |
封装形式: | SOT-323 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 3000/盘 |
SSM3K17SU,SOT-323,SMD/MOS,N场,50V,1A,,带二极(ESD)静电保护
TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOSⅣ)
应用:
* high Speed Switching Applications/高速开关应用
* Analog Switch Applications/模拟开关应用
特点:
* 适用于高密度安装由于紧凑的封装
* 高的漏源电压
* 高速开关
产品型号:SSM3K17FU
封装:SOT-323
品牌:TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):50
夹断电压VGSS(V):±7
漏极电流Id(A):0.1
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):20 @VGS = 4 V
开启电压VGS(TH)(V):1.5
功率PD(W):0.15
输入电容Ciss(PF):7 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(ms):40
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):100 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):40 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:SSM3K17FU,N场,50V,1A,N-沟道增强型场效应晶体管
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SSM3K35MFV,TOSHIBA,SOT-723,SMD/MOS,N场,20V,0.18A,3Ω,带二极静电保护 TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type 应用: * 高速开关应用 * 模拟开关应用 特点: * 1.2V驱动器 * 低导通电阻:Ron = 20 Ω (max) (@VGS = 1.2 V) :Ron = 8 Ω (max) (@VGS = 1.5 V) :Ron = 4 Ω (max) (@VGS = 2.5 V) :Ron = 3 Ω (max) (@VGS = 4.0 V) 产品型号:SSM3K35MFV 封装:SOT-723 品牌:TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20 夹断电压VGS(V):±10 漏极电流Id(A):0.18 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):3 @VGS = 4 V 开启电压VGS(TH)(V):1 功率PD(W):0.15 输入电容Ciss(PF):9.5 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(ms):115 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):115 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):300 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:SSM3K35MFV,20V,0.18A,3Ω N-沟道增强型场效应晶体管 深圳市金城微零件有限公司 地址...
SSM3K36FS,SOT-416(1.6*1.6),SMD/MOS,N场,20V,0.5A,0.66Ω,带二极静电保护 TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type 应用: * 高电流开关应用 特点: * 1.5V驱动器 * 低导通电阻:Ron = 1.52 Ω (max) (@VGS = 1.5 V) :Ron = 1.14 Ω (max) (@VGS = 1.8 V) :Ron = 0.85 Ω (max) (@VGS = 2.5 V) :Ron = 0.66 Ω (max) (@VGS = 4.5 V) :Ron = 0.63 Ω (max) (@VGS = 5.0 V) 产品型号:SSM3K36FS 封装:SOT-416 品牌:TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20 夹断电压VGS(V):±10 漏极电流Id(A):0.5 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.66 @VGS = 4.5 V 开启电压VGS(TH)(V):1 功率PD(W):0.15 输入电容Ciss(PF):46 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(ms):840 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):30 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):75 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:SSM3K36FS,20V,0.5A N-沟道增强型场效应晶体管 深圳市金城微零件有限...