供应 场效应管 SSM3K35MFV SSM3K38MFV
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | SSM3K35MFV | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | SOT-723 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 8000/盘 |
SSM3K35MFV,TOSHIBA,SOT-723,SMD/MOS,N场,20V,0.18A,3Ω，带二极静电保护
TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type
应用:
* 高速开关应用
* 模拟开关应用
特点：
* 1.2V驱动器
* 低导通电阻：Ron = 20 Ω (max) (@VGS = 1.2 V)
：Ron = 8 Ω (max) (@VGS = 1.5 V)
：Ron = 4 Ω (max) (@VGS = 2.5 V)
：Ron = 3 Ω (max) (@VGS = 4.0 V)
产品型号:SSM3K35MFV
封装:SOT-723
品牌：TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20
夹断电压VGS(V):±10
漏极电流Id(A):0.18
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):3 @VGS = 4 V
开启电压VGS(TH)(V):1
功率PD(W):0.15
输入电容Ciss(PF):9.5 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(ms)：115
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):115 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):300 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:SSM3K35MFV,20V,0.18A,3Ω N-沟道增强型场效应晶体管
深圳市金城微零件有限公司
地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E
经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等
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供应 场效应管 SSM3K36FS SSM3K43FS
信息内容：SSM3K36FS,SOT-416（1.6*1.6）,SMD/MOS,N场,20V,0.5A,0.66Ω，带二极静电保护 TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type 应用: * 高电流开关应用 特点： * 1.5V驱动器 * 低导通电阻：Ron = 1.52 Ω (max) (@VGS = 1.5 V) ：Ron = 1.14 Ω (max) (@VGS = 1.8 V) ：Ron = 0.85 Ω (max) (@VGS = 2.5 V) ：Ron = 0.66 Ω (max) (@VGS = 4.5 V) ：Ron = 0.63 Ω (max) (@VGS = 5.0 V) 产品型号:SSM3K36FS 封装:SOT-416 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20 夹断电压VGS(V):±10 漏极电流Id(A):0.5 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.66 @VGS = 4.5 V 开启电压VGS(TH)(V):1 功率PD(W):0.15 输入电容Ciss(PF):46 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(ms)：840 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):30 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):75 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:SSM3K36FS,20V,0.5A N-沟道增强型场效应晶体管 深圳市金城微零件有限...
供应 场效应管 SSM3K36MFV SSM3K44MFV
信息内容：SSM3K36MFV,TOSHIBA,SOT-723,SMD/MOS,N场,20V,0.5A,0.63Ω，带二极静电保护 TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type 应用: * 高电流开关应用 特点： * 1.5V驱动器 * 低导通电阻：Ron = 1.52 Ω (max) (@VGS = 1.5 V) ：Ron = 1.14 Ω (max) (@VGS = 1.8 V) ：Ron = 0.85 Ω (max) (@VGS = 2.5 V) ：Ron = 0.66 Ω (max) (@VGS = 4.5 V) ：Ron = 0.63 Ω (max) (@VGS = 5.0 V) 产品型号:SSM3K36MFV 封装:SOT-723 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20 夹断电压VGS(V):±10 漏极电流Id(A):0.5 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.66 @VGS = 4.5 V 开启电压VGS(TH)(V):1 功率PD(W):0.15 输入电容Ciss(PF):46 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：1.6 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):30 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):75 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:SSM3K36MFV,20V,0.5A N-沟道增强型场效应晶体管 dzsc/19/4357/19435770....
