供应 场效应管 SSM3K36FS SSM3K43FS
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | SSM3K36FS | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | SOT-416 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 3000/盘 |
SSM3K36FS,SOT-416（1.6*1.6）,SMD/MOS,N场,20V,0.5A,0.66Ω，带二极静电保护
TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type
应用:
* 高电流开关应用
特点：
* 1.5V驱动器
* 低导通电阻：Ron = 1.52 Ω (max) (@VGS = 1.5 V)
：Ron = 1.14 Ω (max) (@VGS = 1.8 V)
：Ron = 0.85 Ω (max) (@VGS = 2.5 V)
：Ron = 0.66 Ω (max) (@VGS = 4.5 V)
：Ron = 0.63 Ω (max) (@VGS = 5.0 V)
产品型号:SSM3K36FS
封装:SOT-416
品牌：TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20
夹断电压VGS(V):±10
漏极电流Id(A):0.5
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.66 @VGS = 4.5 V
开启电压VGS(TH)(V):1
功率PD(W):0.15
输入电容Ciss(PF):46 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(ms)：840
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):30 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):75 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:SSM3K36FS,20V,0.5A N-沟道增强型场效应晶体管
深圳市金城微零件有限公司
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供应 场效应管 SSM3K36MFV SSM3K44MFV
信息内容：SSM3K36MFV,TOSHIBA,SOT-723,SMD/MOS,N场,20V,0.5A,0.63Ω，带二极静电保护 TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type 应用: * 高电流开关应用 特点： * 1.5V驱动器 * 低导通电阻：Ron = 1.52 Ω (max) (@VGS = 1.5 V) ：Ron = 1.14 Ω (max) (@VGS = 1.8 V) ：Ron = 0.85 Ω (max) (@VGS = 2.5 V) ：Ron = 0.66 Ω (max) (@VGS = 4.5 V) ：Ron = 0.63 Ω (max) (@VGS = 5.0 V) 产品型号:SSM3K36MFV 封装:SOT-723 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20 夹断电压VGS(V):±10 漏极电流Id(A):0.5 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.66 @VGS = 4.5 V 开启电压VGS(TH)(V):1 功率PD(W):0.15 输入电容Ciss(PF):46 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：1.6 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):30 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):75 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:SSM3K36MFV,20V,0.5A N-沟道增强型场效应晶体管 dzsc/19/4357/19435770....
供应 场效应管 SSM3K44FS SSM3K15AFS
信息内容：SSM3K44FS,SOT-416（1.6*1.6）,SMD/MOS,N场,30V,0.1A,4Ω，带二极静电保护 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type 应用: * High Speed Switching Applications/高速开关应用 * Analog Switching Applications/模拟开关应用 特点： * 紧凑型封装，适用于高密度安装 * 低导通电阻：RDS(ON) = 4.0 Ω (max) (@VGS = 4 V) RDS(ON) = 7.0 Ω (max) (@VGS = 2.5 V) 产品型号:SSM3K44FS 封装:SOT-416 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):0.1 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):4 @VGS = 4 V 开启电压VGS(TH)(V):1.5 功率PD(W):0.15 输入电容Ciss(PF):8.5 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(ms)：25 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):50 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):200 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:SSM3K44FS,30V,0.1A N-沟道增强型场效应晶体管 dzsc/19/4358/19435803.jpg 深圳市金城微零件有限公司 ...
