供应 场效应管 SSM3K7002AF SSM3K7002BS
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | SSM3K7002BS | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | SOT-23 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 3000/盘 |
SSM3K7002AF,SOT-23,SMD/MOS,N场,60V,0.2A,3Ω，带二极(ESD)静电保护
TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
应用:
* high Speed Switching Applications/高速开关应用
* Analog Switch Applications/模拟开关应用
特点：
* 小封装
* 低导通内阻: Ron = 3.3 Ω (max) (@VGS = 4.5 V)
: Ron = 3.2 Ω (max) (@VGS = 5 V)
: Ron = 3.0 Ω (max) (@VGS = 10 V)
产品型号:SSM3K7002AF
封装:SOT-23
品牌：TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60
夹断电压VGSS(V):±20
漏极电流Id(A):0.2
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):3 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2.5
功率PD(W):0.2
输入电容Ciss(PF):16 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(ms)：205
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):10 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):20 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:SSM3K7002AF,N场,60V,0.2A,N-沟道增强型场效应晶体管
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 SSM3K17SU SSM3K17FU
信息内容：SSM3K17SU,SOT-323,SMD/MOS,N场,50V,1A,，带二极(ESD)静电保护 TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOSⅣ) 应用: * high Speed Switching Applications/高速开关应用 * Analog Switch Applications/模拟开关应用 特点： * 适用于高密度安装由于紧凑的封装 * 高的漏源电压 * 高速开关 产品型号:SSM3K17FU 封装:SOT-323 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):50 夹断电压VGSS(V):±7 漏极电流Id(A):0.1 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):20 @VGS = 4 V 开启电压VGS(TH)(V):1.5 功率PD(W):0.15 输入电容Ciss(PF):7 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(ms)：40 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):100 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):40 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:SSM3K17FU,N场,50V,1A,N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 SSM3K35MFV SSM3K38MFV
信息内容：SSM3K35MFV,TOSHIBA,SOT-723,SMD/MOS,N场,20V,0.18A,3Ω，带二极静电保护 TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type 应用: * 高速开关应用 * 模拟开关应用 特点： * 1.2V驱动器 * 低导通电阻：Ron = 20 Ω (max) (@VGS = 1.2 V) ：Ron = 8 Ω (max) (@VGS = 1.5 V) ：Ron = 4 Ω (max) (@VGS = 2.5 V) ：Ron = 3 Ω (max) (@VGS = 4.0 V) 产品型号:SSM3K35MFV 封装:SOT-723 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20 夹断电压VGS(V):±10 漏极电流Id(A):0.18 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):3 @VGS = 4 V 开启电压VGS(TH)(V):1 功率PD(W):0.15 输入电容Ciss(PF):9.5 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(ms)：115 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):115 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):300 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:SSM3K35MFV,20V,0.18A,3Ω N-沟道增强型场效应晶体管 深圳市金城微零件有限公司 地址...
