价 格: | 面议 | |
型号/规格: | SSM3J334R | |
品牌/商标: | TOSHIBA(东芝) | |
封装形式: | SOT-23 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 3000/盘 |
SSM3J334R,TOSHIBA,SOT-23,SMD/MOS,P场,-30V,-4A,0.071Ω,带二极静电保护
应用:
* 电源管理开关应用
特点:
* 低导通电阻RDS(ON) = 71 mΩ (max) (@VGS = -10 V)
RDS(ON) = 105 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V)
RDS(ON) = 136 mΩ (max) (@VGS = -4.0 V)
产品型号:SSM3J334R
封装:SOT-23
品牌:TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-30
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):-4
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.071 @VGS = -10 V
开启电压VGS(TH)(V):-2
功率PD(W):1
输入电容Ciss(PF):280 typ.
通道极性:P沟道
低频跨导gFS(s):4.6
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):13 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):22 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:SSM3J334R,-30V,-4A P-沟道增强型场效应晶体管 TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSⅥ)
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SSM3K116TU,SOT-323,SMD/MOS,N场,30V,2.2A,0.1Ω,带二极(ESD)静电保护 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type 应用: * high Speed Switching Applications/高速开关应用 特点: * 2.5 V驱动器 * 低导通电阻: Ron = 135mΩ (max) (@VGS = 2.5 V) : Ron = 100mΩ (max) (@VGS = 4.5 V) 产品型号:SSM3K116TU 封装:SOT-323 品牌:TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGSS(V):±12 漏极电流Id(A):2.2 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.1 @VGS = 4.5 V 开启电压VGS(TH)(V):1.1 功率PD(W):0.8 输入电容Ciss(PF):245 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s):2 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):9 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):15 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:SSM3K116TU,N场,30V,2.2A,N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
SSM3J15FS,SOT-416(1.6*1.6),SMD/MOS,P场,-30V,-0.1A,12Ω,带二极(ESD)静电保护 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type 应用: * High Speed Switching Applications/高速开关应用 * Analog Switch Applications/模拟开关应用 特点: * 小封装 * 低导通电阻:: Ron = 12 Ω (max) (@VGS = -4 V) : Ron = 32 Ω (max) (@VGS = -2.5 V) 产品型号:SSM3J15FS 封装:SOT-416 品牌:TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):-0.1 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):12 @VGS = -4.5 V 开启电压VGS(TH)(V):-1.7 功率PD(W):0.1 输入电容Ciss(PF):9.1 typ. 通道极性:P沟道 低频跨导gFS(ms):20 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):65 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):175 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:SSM3J15FS,P场,-30V,-0.1A,P-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)