供应 场效应管 SSM3J15FS D:Q SSM3J15F DQ
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | SSM3J15FS | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | SOT-416 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 3000/盘 |
SSM3J15FS,SOT-416（1.6*1.6）,SMD/MOS,P场,-30V,-0.1A,12Ω，带二极(ESD)静电保护
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type
应用:
* High Speed Switching Applications/高速开关应用
* Analog Switch Applications/模拟开关应用
特点：
* 小封装
* 低导通电阻：: Ron = 12 Ω (max) (@VGS = -4 V)
: Ron = 32 Ω (max) (@VGS = -2.5 V)
产品型号:SSM3J15FS
封装:SOT-416
品牌：TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-30
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):-0.1
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):12 @VGS = -4.5 V
开启电压VGS(TH)(V):-1.7
功率PD(W):0.1
输入电容Ciss(PF):9.1 typ.
通道极性:P沟道
低频跨导gFS(ms)：20
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):65 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):175 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:SSM3J15FS,P场,-30V,-0.1A,P-沟道增强型场效应晶体管
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 SSM3J117TU JJ9 SSM3J314T KDU
信息内容：SSM3J117TU,TOSHIBA,SOT-323,SMD/MOS,P场,-30V,-2A,0.117Ω，带ESD二极静电保护 TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type 应用: * 高速开关应用 特点： * 4.0V驱动器 * 低导通电阻：Ron = 225 mΩ (max) (@VGS = -4 V) ：Ron = 117 mΩ (max) (@VGS = -10 V) 产品型号:SSM3J117TU 封装:SOT-323 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):-2 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.117 @VGS = -10 V 开启电压VGS(TH)(V):-2.6 功率PD(W):0.8 输入电容Ciss(PF):280 typ. 通道极性:P沟道 低频跨导gFS(s)：3.1 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):16 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):35 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:SSM3J117TU,-30V,-2A,0.117Ω P-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 SSM3K15FV DP SSM3K15AMFV DI
信息内容：SSM3K15FV,TOSHIBA,SOT-723,SMD/MOS,N场,30V,0.1A,4Ω 产品型号:SSM3K15FV 封装:SOT-723 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):0.1 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):4 @VGS = 4 V 开启电压VGS(TH)(V):1.5 功率PD(W):0.15 输入电容Ciss(PF):7.8 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(ms)：25 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):50 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):180 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:SSM3K15FV,30V,0.1A,4Ω N-沟道增强型场效应晶体管 深圳市金城微零件有限公司 地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E 经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等 (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
