供应 场效应管 SSM3K15FV DP SSM3K15AMFV DI
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | SSM3K15FV | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | SOT-723 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 8000/盘 |
SSM3K15FV,TOSHIBA,SOT-723,SMD/MOS,N场,30V,0.1A,4Ω
产品型号:SSM3K15FV
封装:SOT-723
品牌：TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):0.1
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):4 @VGS = 4 V
开启电压VGS(TH)(V):1.5
功率PD(W):0.15
输入电容Ciss(PF):7.8 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(ms)：25
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):50 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):180 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:SSM3K15FV,30V,0.1A,4Ω N-沟道增强型场效应晶体管
深圳市金城微零件有限公司
地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E
经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等
(产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\.)
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 方小姐/陈小姐/刘小姐/钟小姐
- 电话：0755-82814431/82814432
- 传真：0755-83957820
- 手机：15914096884
- QQ ：
供应 场效应管 SSM3K131TU KKJ
信息内容：SSM3K131TU,SOT-323,SMD/MOS,N场,30V,6A,0.0276Ω，带二极(ESD)静电保护 TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOSⅣ) 应用: * high Speed Switching Applications/高速开关应用 特点： * 4.5 V驱动器 * 低导通电阻: Ron = 41.5 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V) : Ron = 27.6 mΩ (max) (@VGS = 10 V) 产品型号:SSM3K131TU 封装:SOT-323 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGSS(V):±20 漏极电流Id(A):6 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0276 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2.5 功率PD(W):0.8 输入电容Ciss(PF):450 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：23 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):21 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):15 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:SSM3K131TU,30V,6A,0.0276Ω,N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 SSM3J135TU JJN SSM3J327R KFG
信息内容：SSM3J135TU,SOT-323,SMD/MOS,P场,-20V,-3A,0.0103Ω，带二极(ESD)静电保护 TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSⅥ) 应用: * Power Management Switch Applications/电源管理开关应用 特点： * 1.5V驱动器 * 低导通电阻：RDS(ON) = 260 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V) ：RDS(ON) = 180 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) ：RDS(ON) = 132 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) ：RDS(ON) = 103 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V) 产品型号:SSM3J135TU 封装:SOT-323 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20 夹断电压VGS(V):±8 漏极电流Id(A):-3 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.103 @VGS = -4.5 V 开启电压VGS(TH)(V):-1.0 功率PD(W):0.5 输入电容Ciss(PF):270 typ. 通道极性:P沟道 低频跨导gFS(s)：4.4 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):17 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):43 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:SSM3J135TU,-20V,-3A,P-沟道增强型场效应晶体管...
