供应 场效应管 SSM3K131TU KKJ
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | SSM3K131TU | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | SOT-323 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 3000/盘 |
SSM3K131TU,SOT-323,SMD/MOS,N场,30V,6A,0.0276Ω，带二极(ESD)静电保护
TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOSⅣ)
应用:
* high Speed Switching Applications/高速开关应用
特点：
* 4.5 V驱动器
* 低导通电阻: Ron = 41.5 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V)
: Ron = 27.6 mΩ (max) (@VGS = 10 V)
产品型号:SSM3K131TU
封装:SOT-323
品牌：TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGSS(V):±20
漏极电流Id(A):6
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0276 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2.5
功率PD(W):0.8
输入电容Ciss(PF):450 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：23
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):21 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):15 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:SSM3K131TU,30V,6A,0.0276Ω,N-沟道增强型场效应晶体管
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 SSM3J135TU JJN SSM3J327R KFG
信息内容：SSM3J135TU,SOT-323,SMD/MOS,P场,-20V,-3A,0.0103Ω，带二极(ESD)静电保护 TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSⅥ) 应用: * Power Management Switch Applications/电源管理开关应用 特点： * 1.5V驱动器 * 低导通电阻：RDS(ON) = 260 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V) ：RDS(ON) = 180 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) ：RDS(ON) = 132 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) ：RDS(ON) = 103 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V) 产品型号:SSM3J135TU 封装:SOT-323 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20 夹断电压VGS(V):±8 漏极电流Id(A):-3 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.103 @VGS = -4.5 V 开启电压VGS(TH)(V):-1.0 功率PD(W):0.5 输入电容Ciss(PF):270 typ. 通道极性:P沟道 低频跨导gFS(s)：4.4 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):17 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):43 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:SSM3J135TU,-20V,-3A,P-沟道增强型场效应晶体管...
供应 场效应管 SSM3K36TU SSM3K106TU
信息内容：SSM3K36TU,SOT-323,SMD/MOS,N场,20V,0.5A,0.63Ω，带二极静电保护 TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type 应用: * 高电流开关应用 特点： * 1.5V驱动器 * 低导通电阻：Ron = 1.52 Ω (max) (@VGS = 1.5 V) ：Ron = 1.14 Ω (max) (@VGS = 1.8 V) ：Ron = 0.85 Ω (max) (@VGS = 2.5 V) ：Ron = 0.66 Ω (max) (@VGS = 4.5 V) ：Ron = 0.63 Ω (max) (@VGS = 5.0 V) 产品型号:SSM3K36MFV 封装:SOT-323 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20 夹断电压VGS(V):±10 漏极电流Id(A):0.5 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.66 @VGS = 4.5 V 开启电压VGS(TH)(V):1 功率PD(W):0.5 输入电容Ciss(PF):46 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(ms)：840 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):30 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):75 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:SSM3K36TU,20V,0.5A N-沟道增强型场效应晶体管 深圳市金城微零件有限公司 ...
