供应 场效应管 SSM3K36TU SSM3K106TU
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | SSM3K36TU | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | SOT-323 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 3000/盘 |
SSM3K36TU,SOT-323,SMD/MOS,N场,20V,0.5A,0.63Ω，带二极静电保护
TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type
应用:
* 高电流开关应用
特点：
* 1.5V驱动器
* 低导通电阻：Ron = 1.52 Ω (max) (@VGS = 1.5 V)
：Ron = 1.14 Ω (max) (@VGS = 1.8 V)
：Ron = 0.85 Ω (max) (@VGS = 2.5 V)
：Ron = 0.66 Ω (max) (@VGS = 4.5 V)
：Ron = 0.63 Ω (max) (@VGS = 5.0 V)
产品型号:SSM3K36MFV
封装:SOT-323
品牌：TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20
夹断电压VGS(V):±10
漏极电流Id(A):0.5
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.66 @VGS = 4.5 V
开启电压VGS(TH)(V):1
功率PD(W):0.5
输入电容Ciss(PF):46 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(ms)：840
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):30 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):75 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:SSM3K36TU,20V,0.5A N-沟道增强型场效应晶体管
深圳市金城微零件有限公司
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经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等
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供应 场效应管 SSM3K15FS SSM3K16FS D:P DS
信息内容：SSM3K16FS,SOT-416（1.6*1.6）,SMD/MOS,N场,20V,0.1A,3Ω，带二极(ESD)静电保护 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type 应用: * High Speed Switch Applications/高速开关应用 * Analog Switch Applications/模拟开关应用 特点： * Suitable for high-density mounting due to compact package * 低导通电阻: Ron = 3.0 Ω (max) (@VGS = 4 V) : Ron = 4.0 Ω (max) (@VGS = 2.5 V) : Ron = 15 Ω (max) (@VGS = 1.5 V) 产品型号:SSM3K16FS 封装:SOT-416 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20 夹断电压VGSS(V):±10 漏极电流Id(A):0.1 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):3 @VGS = 4 V 开启电压VGS(TH)(V):1.1 功率PD(W):0.1 输入电容Ciss(PF):9.3 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(ms)：40 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):70 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):125 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:SSM3K16FS,N场,20V,0.1A,N-沟道增强型场效应晶体管 ...
供应 场效应管 SSM6J501NU SSM6J503NU SSM6J505NU
信息内容：SSM6J505NU,TOSHIBA,UDFN6B,SMD/MOS,P场,-12V,-12A,0.012Ω,带二极静电保护 产品型号:SSM6J505NU MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS) 应用: * 电源管理开关 特点 （1）1.2 V的栅极驱动电压。 （2）低漏源导通电阻:RDS(ON) = 61 mΩ (max) (@VGS = -1.2 V) :RDS(ON) = 30 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V) :RDS(ON) = 21 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) :RDS(ON) = 16 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) :RDS(ON) = 12 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V) 封装:UDFN6B 品牌：TOSHIBA/东芝 通道极性:P沟道 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-12V 夹断电压VGS(V):±6 漏极电流Id(A):-12 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.012 @VGS = -4.5 V 开启电压VGS(TH)(V):-1 功率PD(W):1.25 输入电容Ciss(PF):2700 typ. 低频跨导gFS(s)：24 导通延迟时间Td(on)(ns):46 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):420 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:SSM6J505NU,-12V,-12A P-沟道增强型场效应晶体管 dzsc/19/43...
