供应 场效应管 SSM3K116TU KK9 SSM3K119TU KKA
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | SSM3K116TU | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | SOT-323 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 3000/盘 |
SSM3K116TU,SOT-323,SMD/MOS,N场,30V,2.2A,0.1Ω，带二极(ESD)静电保护
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
应用:
* high Speed Switching Applications/高速开关应用
特点：
* 2.5 V驱动器
* 低导通电阻: Ron = 135mΩ (max) (@VGS = 2.5 V)
: Ron = 100mΩ (max) (@VGS = 4.5 V)
产品型号:SSM3K116TU
封装:SOT-323
品牌：TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGSS(V):±12
漏极电流Id(A):2.2
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.1 @VGS = 4.5 V
开启电压VGS(TH)(V):1.1
功率PD(W):0.8
输入电容Ciss(PF):245 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：2
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):9 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):15 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:SSM3K116TU,N场,30V,2.2A,N-沟道增强型场效应晶体管
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 SSM3J15FS D:Q SSM3J15F DQ
信息内容：SSM3J15FS,SOT-416（1.6*1.6）,SMD/MOS,P场,-30V,-0.1A,12Ω，带二极(ESD)静电保护 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type 应用: * High Speed Switching Applications/高速开关应用 * Analog Switch Applications/模拟开关应用 特点： * 小封装 * 低导通电阻：: Ron = 12 Ω (max) (@VGS = -4 V) : Ron = 32 Ω (max) (@VGS = -2.5 V) 产品型号:SSM3J15FS 封装:SOT-416 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):-0.1 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):12 @VGS = -4.5 V 开启电压VGS(TH)(V):-1.7 功率PD(W):0.1 输入电容Ciss(PF):9.1 typ. 通道极性:P沟道 低频跨导gFS(ms)：20 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):65 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):175 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:SSM3J15FS,P场,-30V,-0.1A,P-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 SSM3J117TU JJ9 SSM3J314T KDU
信息内容：SSM3J117TU,TOSHIBA,SOT-323,SMD/MOS,P场,-30V,-2A,0.117Ω，带ESD二极静电保护 TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type 应用: * 高速开关应用 特点： * 4.0V驱动器 * 低导通电阻：Ron = 225 mΩ (max) (@VGS = -4 V) ：Ron = 117 mΩ (max) (@VGS = -10 V) 产品型号:SSM3J117TU 封装:SOT-323 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):-2 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.117 @VGS = -10 V 开启电压VGS(TH)(V):-2.6 功率PD(W):0.8 输入电容Ciss(PF):280 typ. 通道极性:P沟道 低频跨导gFS(s)：3.1 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):16 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):35 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:SSM3J117TU,-30V,-2A,0.117Ω P-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
