供应 场效应管 SSM3K102TU KK2 SSM3K104TU KK4
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | SSM3K104TU | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | SOT-323 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 3000/盘 |
SSM3K104TU,SOT-323,SMD/MOS,N场,20V,3A,0.056Ω，带二极(ESD)静电保护
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type
应用:
* Power Management Switch Applications/电源管理开关应用
* igh-Speed Switching Applications/高速开关应用
特点：
* 1.8 V驱动器
* 低导通电阻: Ron = 110 mΩ (max) (@VGS = 1.8 V)
: Ron = 74 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V)
: Ron = 56 mΩ (max) (@VGS = 4.0 V)
产品型号:SSM3K104TU
封装:SOT-416
品牌：TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20
夹断电压VGSS(V):±12
漏极电流Id(A):3
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.056 @VGS = 4 V
开启电压VGS(TH)(V):1
功率PD(W):0.8
输入电容Ciss(PF):320 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：10
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):18 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):14 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:SSM3K104TU,20V,3A,0.056Ω,N-沟道增强型场效应晶体管
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 SSM3J332R KFJ SSM3J334R KFL
信息内容：SSM3J334R,TOSHIBA,SOT-23,SMD/MOS,P场,-30V,-4A,0.071Ω，带二极静电保护 应用: * 电源管理开关应用 特点： * 低导通电阻RDS(ON) = 71 mΩ (max) (@VGS = -10 V) RDS(ON) = 105 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V) RDS(ON) = 136 mΩ (max) (@VGS = -4.0 V) 产品型号:SSM3J334R 封装:SOT-23 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):-4 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.071 @VGS = -10 V 开启电压VGS(TH)(V):-2 功率PD(W):1 输入电容Ciss(PF):280 typ. 通道极性:P沟道 低频跨导gFS(s)：4.6 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):13 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):22 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:SSM3J334R，-30V,-4A P-沟道增强型场效应晶体管 TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSⅥ) (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 SSM3K116TU KK9 SSM3K119TU KKA
信息内容：SSM3K116TU,SOT-323,SMD/MOS,N场,30V,2.2A,0.1Ω，带二极(ESD)静电保护 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type 应用: * high Speed Switching Applications/高速开关应用 特点： * 2.5 V驱动器 * 低导通电阻: Ron = 135mΩ (max) (@VGS = 2.5 V) : Ron = 100mΩ (max) (@VGS = 4.5 V) 产品型号:SSM3K116TU 封装:SOT-323 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGSS(V):±12 漏极电流Id(A):2.2 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.1 @VGS = 4.5 V 开启电压VGS(TH)(V):1.1 功率PD(W):0.8 输入电容Ciss(PF):245 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：2 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):9 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):15 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:SSM3K116TU,N场,30V,2.2A,N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
