供应 场效应管 SSM3J56MFV PW
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | SSM3J56MFV | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | SOT-723 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 8000/盘 |
SSM3J56MFV,SOT-723（1.2*1.2）,SMD/MOS,P场,-20V,-0.8A,0.39Ω，带二极(ESD)静电保
护
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type
应用:
* Load Switching Applications/负载开关应用
特点：
* 1.2 V驱动器
* 低导通电阻：: RDS(ON) = 390 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V)
: RDS(ON) = 480 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)
: RDS(ON) = 660 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V)
: RDS(ON) = 900 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V)
: RDS(ON) = 4000 mΩ (max) (@VGS = -1.2 V)
产品型号:SSM3J56MFV
封装:SOT-723
品牌：TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20
夹断电压VGS(V):±8
漏极电流Id(A):-0.8
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.39 @VGS = -4.5 V
开启电压VGS(TH)(V):-1
功率PD(W):0.5
输入电容Ciss(PF):100 typ.
通道极性:P沟道
低频跨导gFS(s)：1
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):8 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):26 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:SSM3J56MFV,-20V,-0.8A,P-沟道增强型场效应晶体管
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 SSM3K102TU KK2 SSM3K104TU KK4
信息内容：SSM3K104TU,SOT-323,SMD/MOS,N场,20V,3A,0.056Ω，带二极(ESD)静电保护 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type 应用: * Power Management Switch Applications/电源管理开关应用 * igh-Speed Switching Applications/高速开关应用 特点： * 1.8 V驱动器 * 低导通电阻: Ron = 110 mΩ (max) (@VGS = 1.8 V) : Ron = 74 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V) : Ron = 56 mΩ (max) (@VGS = 4.0 V) 产品型号:SSM3K104TU 封装:SOT-416 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20 夹断电压VGSS(V):±12 漏极电流Id(A):3 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.056 @VGS = 4 V 开启电压VGS(TH)(V):1 功率PD(W):0.8 输入电容Ciss(PF):320 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：10 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):18 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):14 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:SSM3K104TU,20V,3A,0.056Ω,N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品P...
供应 场效应管 SSM3J332R KFJ SSM3J334R KFL
信息内容：SSM3J334R,TOSHIBA,SOT-23,SMD/MOS,P场,-30V,-4A,0.071Ω，带二极静电保护 应用: * 电源管理开关应用 特点： * 低导通电阻RDS(ON) = 71 mΩ (max) (@VGS = -10 V) RDS(ON) = 105 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V) RDS(ON) = 136 mΩ (max) (@VGS = -4.0 V) 产品型号:SSM3J334R 封装:SOT-23 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):-4 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.071 @VGS = -10 V 开启电压VGS(TH)(V):-2 功率PD(W):1 输入电容Ciss(PF):280 typ. 通道极性:P沟道 低频跨导gFS(s)：4.6 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):13 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):22 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:SSM3J334R，-30V,-4A P-沟道增强型场效应晶体管 TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSⅥ) (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
