供应 场效应管 SSM3K04FS DC
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | SSM3K04FS | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | SOT-416 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 3000/盘 |
SSM3K04FS,SOT-416（1.6*1.6）,SMD/MOS,N场,20V,0.1A,12Ω，带二极(ESD)静电保护
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
应用:
* High Speed Switch Applications/高速开关应用
特点：
* 内置的栅极 - 源极电阻: RGS = 1 MΩ (typ.)
* 2.5 V门极驱动
* 低栅极阈值电压: Vth = 0.7~1.3 V
* 小封装
产品型号:SSM3K04FS
封装:SOT-416
品牌：TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20
夹断电压VGSS(V):10
漏极电流Id(A):0.1
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):12 @VGS = 2.5 V
开启电压VGS(TH)(V):1.3
功率PD(W):0.1
输入电容Ciss(PF):11 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(ms)：50
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(us):0.16 typ.
关断延迟时间Td(off)(uns):0.19 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:SSM3K04FS,N场,20V,0.1A,12Ω,N-沟道增强型场效应晶体管
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供应 场效应管 SSM3J56MFV PW
信息内容：SSM3J56MFV,SOT-723（1.2*1.2）,SMD/MOS,P场,-20V,-0.8A,0.39Ω，带二极(ESD)静电保 护 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type 应用: * Load Switching Applications/负载开关应用 特点： * 1.2 V驱动器 * 低导通电阻：: RDS(ON) = 390 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V) : RDS(ON) = 480 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) : RDS(ON) = 660 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) : RDS(ON) = 900 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V) : RDS(ON) = 4000 mΩ (max) (@VGS = -1.2 V) 产品型号:SSM3J56MFV 封装:SOT-723 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20 夹断电压VGS(V):±8 漏极电流Id(A):-0.8 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.39 @VGS = -4.5 V 开启电压VGS(TH)(V):-1 功率PD(W):0.5 输入电容Ciss(PF):100 typ. 通道极性:P沟道 低频跨导gFS(s)：1 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):8 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):26 typ. 温度(℃): -55 ~150...
供应 场效应管 SSM3K102TU KK2 SSM3K104TU KK4
信息内容：SSM3K104TU,SOT-323,SMD/MOS,N场,20V,3A,0.056Ω，带二极(ESD)静电保护 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type 应用: * Power Management Switch Applications/电源管理开关应用 * igh-Speed Switching Applications/高速开关应用 特点： * 1.8 V驱动器 * 低导通电阻: Ron = 110 mΩ (max) (@VGS = 1.8 V) : Ron = 74 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V) : Ron = 56 mΩ (max) (@VGS = 4.0 V) 产品型号:SSM3K104TU 封装:SOT-416 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20 夹断电压VGSS(V):±12 漏极电流Id(A):3 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.056 @VGS = 4 V 开启电压VGS(TH)(V):1 功率PD(W):0.8 输入电容Ciss(PF):320 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：10 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):18 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):14 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:SSM3K104TU,20V,3A,0.056Ω,N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品P...
