供应 场效应管 SSM3J327F KFG SSM3J328R KFH
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | SSM3J327F | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | SOT-23 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 3000/盘 |
SSM3J327F,TOSHIBA,SOT-23,SMD/MOS,P场,-20V,-3.5A,0.095Ω，带二极静电保护
应用:
* 电源管理开关应用
特点：
* 1.5 V驱动器
* 低导通电阻RDS（ON）= 242毫欧（值）（@ VGS =-1.5 V）
RDS（ON）=170毫欧（值）（@ VGS=-1.8 V）
RDS（ON）=125毫欧（值）（@ VGS= -2.5 V）
RDS（ON）=95毫欧（值）（@ VGS=-4.5 V）
产品型号:SSM3J327F
封装:SOT-23
品牌：TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20
夹断电压VGS(V):±8
漏极电流Id(A):-3.5
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.095 @VGS = -4.5 V
开启电压VGS(TH)(V):-1
功率PD(W):0.6
输入电容Ciss(PF):290 typ.
通道极性:P沟道
低频跨导gFS(s)：5.6
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):12 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):46.2 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:SSM3J327F,-20V,-3.5A P-沟道增强型场效应晶体管 TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS V)
(产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\.)
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 方小姐/陈小姐/刘小姐/钟小姐
- 电话：0755-82814431/82814432
- 传真：0755-83957820
- 手机：15914096884
- QQ ：
供应 场效应管 SSM3K04FS DC
信息内容：SSM3K04FS,SOT-416（1.6*1.6）,SMD/MOS,N场,20V,0.1A,12Ω，带二极(ESD)静电保护 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type 应用: * High Speed Switch Applications/高速开关应用 特点： * 内置的栅极 - 源极电阻: RGS = 1 MΩ (typ.) * 2.5 V门极驱动 * 低栅极阈值电压: Vth = 0.7~1.3 V * 小封装 产品型号:SSM3K04FS 封装:SOT-416 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20 夹断电压VGSS(V):10 漏极电流Id(A):0.1 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):12 @VGS = 2.5 V 开启电压VGS(TH)(V):1.3 功率PD(W):0.1 输入电容Ciss(PF):11 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(ms)：50 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(us):0.16 typ. 关断延迟时间Td(off)(uns):0.19 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:SSM3K04FS,N场,20V,0.1A,12Ω,N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 SSM3J56MFV PW
信息内容：SSM3J56MFV,SOT-723（1.2*1.2）,SMD/MOS,P场,-20V,-0.8A,0.39Ω，带二极(ESD)静电保 护 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type 应用: * Load Switching Applications/负载开关应用 特点： * 1.2 V驱动器 * 低导通电阻：: RDS(ON) = 390 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V) : RDS(ON) = 480 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) : RDS(ON) = 660 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) : RDS(ON) = 900 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V) : RDS(ON) = 4000 mΩ (max) (@VGS = -1.2 V) 产品型号:SSM3J56MFV 封装:SOT-723 品牌：TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20 夹断电压VGS(V):±8 漏极电流Id(A):-0.8 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.39 @VGS = -4.5 V 开启电压VGS(TH)(V):-1 功率PD(W):0.5 输入电容Ciss(PF):100 typ. 通道极性:P沟道 低频跨导gFS(s)：1 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):8 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):26 typ. 温度(℃): -55 ~150...
