供应 场效应管 TPCA8058-H TPCA8024
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | TPCA8058-H | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | PSOP-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 3000/盘 |
TPCA8058-H,QFN-8 5*6/PSOP-8,SMD/MOS,N场,30V,38A,0.003Ω
应用:
* 高效率DC-DC转换器
* 笔记本电脑
* 移动手机
特点:
(1) Small footprint due to a small and thin package
(2) High-speed switching
(3) Small gate change: QSW = 12 nC (typ.)
(4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 3.0 mΩ (typ.) (VGS = 4.5 V)
(5) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 30 V)
(6) Enhancement mode: Vth = 1.3 to 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA)
产品型号:TPCA8058-H
MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS-H)
封装:QFN-8 5*6/PSOP-8
品牌：TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):38
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.003 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2.3
功率PD(W):52
输入电容Ciss(PF):3600 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):187
导通延迟时间Td(on)(ns):13 typ.
上升时间Tr(ns):4.3 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):48 typ.
下降时间Tf(ns):6.9 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:TPCA8058-H,30V,38A,0.003Ω N-沟道增强型场效应晶体管
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 2SK3305 K3305 2SK3325 K3325
信息内容：2SK3325,TO-220,DIP/MOS,N场,500V,10A,0.85Ω,N-沟道功率MOSFET场效应晶体管 应用: * 开关 * 工业用 特点: * 低栅极电荷：QG =22 nC的TYP。 （VDD= 400 V，VGS= 10V，ID =10 A） * 门额定电压：±30 V * 低通态电阻: RDS（ON）=0.85 W MAX。 （VGS =10 V，ID =5.0 A） * 雪崩能力评级 * TO-220AB，TO-262，TO-263封装 产品型号:2SK3325 封装:TO-220 品牌：RENESAS/瑞萨 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):10 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.85 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):3.5 功率PD(W):85 输入电容Ciss(PF):1200 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：4.0 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):10.7 导通延迟时间Td(on)(ns):21 typ. 上升时间Tr(ns):11 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):40 typ. 下降时间Tf(ns):9.5 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:2SK3325 500V,10A N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 2SK4070 K4070
信息内容：2SK4070,TO-251,DIP/MOS,N场,600V,1A,11Ω,N-沟道功率MOSFET场效应晶体管 应用: * 开关 特点: * 低栅极电荷：QG = 5 nC TYP. (VDD = 450 V, VGS = 10 V, ID = 1.0 A) * 门额定电压：±30 V * 低通态电阻: RDS(on) = 11 Ω MAX. (VGS = 10 V, ID = 0.5 A) * 雪崩能力评级 产品型号:2SK4070 封装:TO-251 品牌：NEC 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):1 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):11 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):3.5 功率PD(W):22 输入电容Ciss(PF):110 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：0.4 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):38.4 导通延迟时间Td(on)(ns):7.5 typ. 上升时间Tr(ns):6 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):11 typ. 下降时间Tf(ns):18 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:2SK4070,600V,1A N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
