FNK6A|MOS管采用先进沟道技术
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FNK6A | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | SOT23-6 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 |
惠州市乾野电子有限公司（简称FNK-TECH） 成立于2003 年，从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售，是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。
FNK6A采用先进沟道技术，提供优良的RDS（ON），低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V.这个装置是适合用于作为电池保护，或在其他的开关中的应用。
一般特点
●VDS=20V,ID=4A
<27mΩ的RDS（on）@ VGS= 2.5V
RDS（ON）<22MΩ@ VGS= 4.5V
●高功率和电流移交能力
●无铅产品
●表面贴装封装
应用
●电池保护
●负荷开关
●电源管理
- 所属城市：广东 惠州
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FNK06N02C|MOSFET质量可靠
信息内容：乾野电子成功的秘诀是利用自身能融汇贯通器件与工艺设计的技术优势，专注与国际的8"芯片代工厂、封装与测试代工厂的紧密合作，通过保证产品在生产和测试过程中的质量控制，确保大批量生产中，产品的持续优质和稳定供货。 FNK06N02C N沟道增强模式功率MOSFET的产品说明 FNK06N02对焦先进沟道技术，提供优良的RDS,低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V. ID=50A RDS（ON）<7.5MΩ@ VGS= 4.5V DS（ON）<10.0mΩ@ VGS= 2.5V ●高功率和电流移交能力 ●无铅产品 应用 ●电池开关 ●负荷开关 ●电源管理 MOSFET的概述 从目前的角度来看MOSFET的命名，事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET里代表"metal"的个字母M在当下大部分同类的元件里是不存在的。早期MOSFET的栅极（gate electrode）使用金属作为其材料，但随著半导体技术的进步，随后MOSFET栅极使用多晶硅取代了金属。在处理器中，多晶硅栅已经不是主流技术，从英特尔采用45纳米线宽的P1266处理器开始，栅极开始重新使用金属。
FNK06N02C|N沟道增强模式功率MOSFET
信息内容：乾野电子是中国研发成功并上量销售650V 超结-MOSFET（SJ-MOSFET）的设计公司，目标成为客户全球价值的功率半导体器件与服务供应商。 FNK06N02C N沟道增强模式功率MOSFET的产品说明 FNK06N02对焦先进沟道技术，提供优良的RDS,低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V. ID=50A RDS（ON）<7.5MΩ@ VGS= 4.5V DS（ON）<10.0mΩ@ VGS= 2.5V ●高功率和电流移交能力 ●无铅产品 应用 ●电池开关 ●负荷开关 ●电源管理 MOSFET的应用优势 MOSFET在1960年由贝尔实验室（Bell Lab.）的D. Kahng和 Martin Atalla首次实作成功，这种元件的操作原理和1947年萧克莱（William Shockley）等人发明的双载子晶体管（Bipolar Junction Transistor,BJT）截然不同，且因为制造成本低廉与使用面积较小、高整合度的优势，在大型集成电路（Large-Scale Integrated Circuits,LSI）或是超大型集成电路（Very Large-Scale Integrated Circuits,VLSI）的领域里，重要性远超过BJT. 由于MOSFET元件的性能逐渐提升，除了传统上应用于诸如微处理器、微控制器等数位讯号处理的场合上，也有越来越多...
