FNK06N02C|N沟道增强模式功率MOSFET
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FNK06N02C | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | TO-251 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 盒带编带包装 |
乾野电子是中国研发成功并上量销售650V 超结-MOSFET（SJ-MOSFET）的设计公司，目标成为客户全球价值的功率半导体器件与服务供应商。
FNK06N02C N沟道增强模式功率MOSFET的产品说明
FNK06N02对焦先进沟道技术，提供优良的RDS,低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V.
ID=50A
RDS（ON）<7.5MΩ@ VGS= 4.5V
DS（ON）<10.0mΩ@ VGS= 2.5V
●高功率和电流移交能力
●无铅产品
应用
●电池开关
●负荷开关
●电源管理
MOSFET的应用优势
MOSFET在1960年由贝尔实验室（Bell Lab.）的D. Kahng和 Martin Atalla首次实作成功，这种元件的操作原理和1947年萧克莱（William Shockley）等人发明的双载子晶体管（Bipolar Junction Transistor,BJT）截然不同，且因为制造成本低廉与使用面积较小、高整合度的优势，在大型集成电路（Large-Scale Integrated Circuits,LSI）或是超大型集成电路（Very Large-Scale Integrated Circuits,VLSI）的领域里，重要性远超过BJT.
由于MOSFET元件的性能逐渐提升，除了传统上应用于诸如微处理器、微控制器等数位讯号处理的场合上，也有越来越多类比讯号处理的积体电路可以用MOSFET来实现。
- 所属城市：广东 惠州
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FNK06N02C|场效应管的抗辐射能力强
信息内容：惠州市乾野电子有限公司（简称FNK-TECH） 成立于2003 年，从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售，是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。 FNK06N02C N沟道增强模式功率MOSFET的产品说明 FNK06N02对焦先进沟道技术，提供优良的RDS,低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V. ID=50A RDS（ON）<7.5MΩ@ VGS= 4.5V DS（ON）<10.0mΩ@ VGS= 2.5V ●高功率和电流移交能力 ●无铅产品 应用 ●电池开关 ●负荷开关 ●电源管理 场效应管特点 （1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS（栅源电压）来控制ID（漏极电流）； （2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。 （3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好； （4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数； （5）场效应管的抗辐射能力强； （6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。
FNK06N02C|无铅环保场效应管品质保证
信息内容：乾野电子在目前（20V-250V）大功率Trench-MOS 器件、（500V-650V）SJ-MOS器件、普通高压MOS器件（600V）已量产与销售， 并取得国内和国际的多项技术。 FNK06N02C N沟道增强模式功率MOSFET的产品说明 FNK06N02对焦先进沟道技术，提供优良的RDS,低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V. ID=50A RDS（ON）<7.5MΩ@ VGS= 4.5V DS（ON）<10.0mΩ@ VGS= 2.5V ●高功率和电流移交能力 ●无铅产品 应用 ●电池开关 ●负荷开关 ●电源管理 场效应管介绍 场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^8~10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
