FNK06N02C|无铅环保场效应管品质保证
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FNK06N02C | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | TO-251 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 盒带编带包装 |
乾野电子在目前（20V-250V）大功率Trench-MOS 器件、（500V-650V）SJ-MOS器件、普通高压MOS器件（600V）已量产与销售， 并取得国内和国际的多项技术。
FNK06N02C N沟道增强模式功率MOSFET的产品说明
FNK06N02对焦先进沟道技术，提供优良的RDS,低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V.
ID=50A
RDS（ON）<7.5MΩ@ VGS= 4.5V
DS（ON）<10.0mΩ@ VGS= 2.5V
●高功率和电流移交能力
●无铅产品
应用
●电池开关
●负荷开关
●电源管理
场效应管介绍
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^8~10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
- 所属城市：广东 惠州
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 吉先生
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FNK06N02C|生产批发MOSFET
信息内容：乾野电子的产品注重发展大功率器件、功率模块和集成器件、压电陀螺仪；性能与可靠性超越同行；应用偏向高端；注重品牌和信誉。 FNK06N02C N沟道增强模式功率MOSFET的产品说明 FNK06N02对焦先进沟道技术，提供优良的RDS,低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V. ID=50A RDS（ON）<7.5MΩ@ VGS= 4.5V DS（ON）<10.0mΩ@ VGS= 2.5V ●高功率和电流移交能力 ●无铅产品 应用 ●电池开关 ●负荷开关 ●电源管理
FNK1520丨场效应管丨MOSFET
信息内容：乾野电子成功的秘诀是利用自身能融汇贯通器件与工艺设计的技术优势，专注与国际的8"芯片代工厂、封装与测试代工厂的紧密合作，通过保证产品在生产和测试过程中的质量控制，确保大批量生产中，产品的持续优质和稳定供货；同时专注于各产品的应用行业和领域的研究和并达到精通，使产品性能的利用达到化和化。 dzsc/19/4237/19423747.jpg 结型场效应管的管脚识别： 场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ时，则这两个管脚为漏极D和源极S（可互换），余下的一个管脚即为栅极G。对于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（使用中接地）。
