FNK06N02C|MOSFET质量可靠
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FNK06N02C | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | TO-251 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 盒带编带包装 |
乾野电子成功的秘诀是利用自身能融汇贯通器件与工艺设计的技术优势，专注与国际的8"芯片代工厂、封装与测试代工厂的紧密合作，通过保证产品在生产和测试过程中的质量控制，确保大批量生产中，产品的持续优质和稳定供货。
FNK06N02C N沟道增强模式功率MOSFET的产品说明
FNK06N02对焦先进沟道技术，提供优良的RDS,低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V.
ID=50A
RDS（ON）<7.5MΩ@ VGS= 4.5V
DS（ON）<10.0mΩ@ VGS= 2.5V
●高功率和电流移交能力
●无铅产品
应用
●电池开关
●负荷开关
●电源管理
MOSFET的概述
从目前的角度来看MOSFET的命名，事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET里代表"metal"的个字母M在当下大部分同类的元件里是不存在的。早期MOSFET的栅极（gate electrode）使用金属作为其材料，但随著半导体技术的进步，随后MOSFET栅极使用多晶硅取代了金属。在处理器中，多晶硅栅已经不是主流技术，从英特尔采用45纳米线宽的P1266处理器开始，栅极开始重新使用金属。
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FNK06N02C|N沟道增强模式功率MOSFET
信息内容：乾野电子是中国研发成功并上量销售650V 超结-MOSFET（SJ-MOSFET）的设计公司，目标成为客户全球价值的功率半导体器件与服务供应商。 FNK06N02C N沟道增强模式功率MOSFET的产品说明 FNK06N02对焦先进沟道技术，提供优良的RDS,低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V. ID=50A RDS（ON）<7.5MΩ@ VGS= 4.5V DS（ON）<10.0mΩ@ VGS= 2.5V ●高功率和电流移交能力 ●无铅产品 应用 ●电池开关 ●负荷开关 ●电源管理 MOSFET的应用优势 MOSFET在1960年由贝尔实验室（Bell Lab.）的D. Kahng和 Martin Atalla首次实作成功，这种元件的操作原理和1947年萧克莱（William Shockley）等人发明的双载子晶体管（Bipolar Junction Transistor,BJT）截然不同，且因为制造成本低廉与使用面积较小、高整合度的优势，在大型集成电路（Large-Scale Integrated Circuits,LSI）或是超大型集成电路（Very Large-Scale Integrated Circuits,VLSI）的领域里，重要性远超过BJT. 由于MOSFET元件的性能逐渐提升，除了传统上应用于诸如微处理器、微控制器等数位讯号处理的场合上，也有越来越多...
FNK06N02C|场效应管的抗辐射能力强
信息内容：惠州市乾野电子有限公司（简称FNK-TECH） 成立于2003 年，从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售，是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。 FNK06N02C N沟道增强模式功率MOSFET的产品说明 FNK06N02对焦先进沟道技术，提供优良的RDS,低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V. ID=50A RDS（ON）<7.5MΩ@ VGS= 4.5V DS（ON）<10.0mΩ@ VGS= 2.5V ●高功率和电流移交能力 ●无铅产品 应用 ●电池开关 ●负荷开关 ●电源管理 场效应管特点 （1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS（栅源电压）来控制ID（漏极电流）； （2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。 （3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好； （4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数； （5）场效应管的抗辐射能力强； （6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。
