FNK3401|MOSFET适合用于作为PWM应用
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FNK3401 | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | SOT-23 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 |
乾野电子是中国研发成功并上量销售650V 超结-MOSFET（SJ-MOSFET）的设计公司，目标成为客户全球价值的功率半导体器件与服务供应商。
P沟道增强模式功率MOSFET的描述
3401采用先进沟道技术，提供优良的RDS（ON），低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V.这个装置是适合用于作为负载开关或PWM应用。
一般特点
●VDS=30V,ID=4.2A
RDS（ON）<130mΩ@ VGS=-2.5V
RDS（ON）的75mΩ@ VGS=-4.5V
RDS（ON）<55mΩ@ VGS=-10V
●高功率和电流移交能力
●无铅产品
●表面贴装封装
应用
●PWM应用
●负荷开关
●电源管理
MOSFET的电路符号
常用于MOSFET的电路符号有很多种变化，最常见的设计是以一条直线代表通道，两条和通道垂直的线代表源极与漏极，左方和通道平行而且较短的线代表栅极，如下图所示。有时也会将代表通道的直线以破折线代替，以区分增强型MOSFET（enhancement mode MOSFET）或是耗尽型MOSFET（depletion mode MOSFET）。
由于积体电路芯片上的MOSFET为四端元件，所以除了栅极、源极、漏极外，尚有一基极（Bulk或是Body）。MOSFET电路符号中，从通道往右延伸的箭号方向则可表示此元件为n-type或是p-type的MOSFET.箭头方向永远从P端指向N端，所以箭头从通道指向基极端的为p-type的MOSFET,或简称PMOS（代表此元件的通道为p-type）；反之若箭头从基极指向通道，则代表基极为p-type,而通道为n-type,此元件为n-type的MOSFET,简称NMOS.在一般分布式MOSFET元件（discrete device）中，通常把基极和源极接在一起，故分布式MOSFET通常为三端元件。而在积体电路中的MOSFET通常因为使用同一个基极（common bulk），所以不标示出基极的极性，而在PMOS的栅极端多加一个圆圈以示区别。
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FNK3401|MOSFET适合用于作为负载开关
信息内容：乾野电子的产品注重发展大功率器件、功率模块和集成器件、压电陀螺仪；性能与可靠性超越同行；应用偏向高端；注重品牌和信誉。 P沟道增强模式功率MOSFET的描述 3401采用先进沟道技术，提供优良的RDS（ON），低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V.这个装置是适合用于作为负载开关或PWM应用。 一般特点 ●VDS=30V,ID=4.2A RDS（ON）<130mΩ@ VGS=-2.5V RDS（ON）的75mΩ@ VGS=-4.5V RDS（ON）<55mΩ@ VGS=-10V ●高功率和电流移交能力 ●无铅产品 ●表面贴装封装 应用 ●PWM应用 ●负荷开关 ●电源管理 MOSFET的概述 从目前的角度来看MOSFET的命名，事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET里代表"metal"的个字母M在当下大部分同类的元件里是不存在的。早期MOSFET的栅极（gate electrode）使用金属作为其材料，但随著半导体技术的进步，随后MOSFET栅极使用多晶硅取代了金属。在处理器中，多晶硅栅已经不是主流技术，从英特尔采用45纳米线宽的P1266处理器开始，栅极开始重新使用金属。 MOSFET在概念上属于"绝缘栅极场效晶体管"（Insulated...
FNK3401|MOS管PWM应用
信息内容：乾野电子在中国大陆（上海、惠州、等）、香港分别建立了设计与运营中心、销售公司。 P沟道增强模式功率MOSFET的描述 3401采用先进沟道技术，提供优良的RDS（ON），低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V.这个装置是适合用于作为负载开关或PWM应用。 一般特点 ●VDS=30V,ID=4.2A RDS（ON）<130mΩ@ VGS=-2.5V RDS（ON）的75mΩ@ VGS=-4.5V RDS（ON）<55mΩ@ VGS=-10V ●高功率和电流移交能力 ●无铅产品 ●表面贴装封装 应用 ●PWM应用 ●负荷开关 ●电源管理
