FNK3401|MOSFET适合用于作为负载开关
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FNK3401 | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | SOT-23 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 |
乾野电子的产品注重发展大功率器件、功率模块和集成器件、压电陀螺仪；性能与可靠性超越同行；应用偏向高端；注重品牌和信誉。
P沟道增强模式功率MOSFET的描述
3401采用先进沟道技术，提供优良的RDS（ON），低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V.这个装置是适合用于作为负载开关或PWM应用。
一般特点
●VDS=30V,ID=4.2A
RDS（ON）<130mΩ@ VGS=-2.5V
RDS（ON）的75mΩ@ VGS=-4.5V
RDS（ON）<55mΩ@ VGS=-10V
●高功率和电流移交能力
●无铅产品
●表面贴装封装
应用
●PWM应用
●负荷开关
●电源管理
MOSFET的概述
从目前的角度来看MOSFET的命名，事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET里代表"metal"的个字母M在当下大部分同类的元件里是不存在的。早期MOSFET的栅极（gate electrode）使用金属作为其材料，但随著半导体技术的进步，随后MOSFET栅极使用多晶硅取代了金属。在处理器中，多晶硅栅已经不是主流技术，从英特尔采用45纳米线宽的P1266处理器开始，栅极开始重新使用金属。
MOSFET在概念上属于"绝缘栅极场效晶体管"（Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET），而IGFET的栅极绝缘层有可能是其他物质而非MOSFET使用的氧化层。有些人在提到拥有多晶硅栅极的场效晶体管元件时比较喜欢用IGFET,但是这些IGFET多半指的是MOSFET.
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FNK3401|MOS管PWM应用
信息内容：乾野电子在中国大陆（上海、惠州、等）、香港分别建立了设计与运营中心、销售公司。 P沟道增强模式功率MOSFET的描述 3401采用先进沟道技术，提供优良的RDS（ON），低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V.这个装置是适合用于作为负载开关或PWM应用。 一般特点 ●VDS=30V,ID=4.2A RDS（ON）<130mΩ@ VGS=-2.5V RDS（ON）的75mΩ@ VGS=-4.5V RDS（ON）<55mΩ@ VGS=-10V ●高功率和电流移交能力 ●无铅产品 ●表面贴装封装 应用 ●PWM应用 ●负荷开关 ●电源管理
FNK4481|P沟道增强模式功率MOSFET
信息内容：乾野电子成功的秘诀是利用自身能融汇贯通器件与工艺设计的技术优势，专注与国际的8"芯片代工厂、封装与测试代工厂的紧密合作，通过保证产品在生产和测试过程中的质量控制，确保大批量生产中，产品的持续优质和稳定供货。 FNK4481 P沟道增强模式功率MOSFET的说明 FNK4481uses先进的沟槽技术，提供出色的RDS,低栅极电荷和操作与栅极电压低至4.5V. 一般特征 ●I=-30A ●R <40MΩ@ VGS=-4.5V ●R <23mΩ@ VGS=-10V 高功率和电流移交能力 无铅产品 应用 ●电池开关 ●负荷开关 ●电源管理 MOSFET的应用优势 MOSFET在1960年由贝尔实验室（Bell Lab.）的D. Kahng和 Martin Atalla首次实作成功，这种元件的操作原理和1947年萧克莱（William Shockley）等人发明的双载子晶体管（Bipolar Junction Transistor,BJT）截然不同，且因为制造成本低廉与使用面积较小、高整合度的优势，在大型集成电路（Large-Scale Integrated Circuits,LSI）或是超大型集成电路（Very Large-Scale Integrated Circuits,VLSI）的领域里，重要性远超过BJT. 由于MOSFE...
