FNK3401|MOS管PWM应用
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FNK3401 | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | SOT-23 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 盒带编带包装 |
乾野电子在中国大陆（上海、惠州、等）、香港分别建立了设计与运营中心、销售公司。
P沟道增强模式功率MOSFET的描述
3401采用先进沟道技术，提供优良的RDS（ON），低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V.这个装置是适合用于作为负载开关或PWM应用。
一般特点
●VDS=30V,ID=4.2A
RDS（ON）<130mΩ@ VGS=-2.5V
RDS（ON）的75mΩ@ VGS=-4.5V
RDS（ON）<55mΩ@ VGS=-10V
●高功率和电流移交能力
●无铅产品
●表面贴装封装
应用
●PWM应用
●负荷开关
●电源管理
- 所属城市：广东 惠州
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FNK4481|P沟道增强模式功率MOSFET
信息内容：乾野电子成功的秘诀是利用自身能融汇贯通器件与工艺设计的技术优势，专注与国际的8"芯片代工厂、封装与测试代工厂的紧密合作，通过保证产品在生产和测试过程中的质量控制，确保大批量生产中，产品的持续优质和稳定供货。 FNK4481 P沟道增强模式功率MOSFET的说明 FNK4481uses先进的沟槽技术，提供出色的RDS,低栅极电荷和操作与栅极电压低至4.5V. 一般特征 ●I=-30A ●R <40MΩ@ VGS=-4.5V ●R <23mΩ@ VGS=-10V 高功率和电流移交能力 无铅产品 应用 ●电池开关 ●负荷开关 ●电源管理 MOSFET的应用优势 MOSFET在1960年由贝尔实验室（Bell Lab.）的D. Kahng和 Martin Atalla首次实作成功，这种元件的操作原理和1947年萧克莱（William Shockley）等人发明的双载子晶体管（Bipolar Junction Transistor,BJT）截然不同，且因为制造成本低廉与使用面积较小、高整合度的优势，在大型集成电路（Large-Scale Integrated Circuits,LSI）或是超大型集成电路（Very Large-Scale Integrated Circuits,VLSI）的领域里，重要性远超过BJT. 由于MOSFE...
FNK4481|MOSFET高功率和电流移交能力
信息内容：乾野电子专注于各产品的应用行业和领域的研究和并达到精通，使产品性能的利用达到化和化。 FNK4481 P沟道增强模式功率MOSFET的说明 FNK4481uses先进的沟槽技术，提供出色的RDS,低栅极电荷和操作与栅极电压低至4.5V. 一般特征 ●I=-30A ●R <40MΩ@ VGS=-4.5V ●R <23mΩ@ VGS=-10V 高功率和电流移交能力 无铅产品 应用 ●电池开关 ●负荷开关 ●电源管理 MOSFET的介绍 金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其"通道"的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。
