FNK3401|场效应管低栅极电荷
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FNK3401 | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | SOT-23 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 |
乾野电子专注于各产品的应用行业和领域的研究和并达到精通，使产品性能的利用达到化和化。
P沟道增强模式功率MOSFET的描述
3401采用先进沟道技术，提供优良的RDS（ON），低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V.这个装置是适合用于作为负载开关或PWM应用。
一般特点
●VDS=30V,ID=4.2A
RDS（ON）<130mΩ@ VGS=-2.5V
RDS（ON）的75mΩ@ VGS=-4.5V
RDS（ON）<55mΩ@ VGS=-10V
●高功率和电流移交能力
●无铅产品
●表面贴装封装
应用
●PWM应用
●负荷开关
●电源管理
场效应管特点
（1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS（栅源电压）来控制ID（漏极电流）；
（2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。
（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；
（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；
（5）场效应管的抗辐射能力强；
（6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。
- 所属城市：广东 惠州
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FNK3401|MOSFET适合用于作为PWM应用
信息内容：乾野电子是中国研发成功并上量销售650V 超结-MOSFET（SJ-MOSFET）的设计公司，目标成为客户全球价值的功率半导体器件与服务供应商。 P沟道增强模式功率MOSFET的描述 3401采用先进沟道技术，提供优良的RDS（ON），低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V.这个装置是适合用于作为负载开关或PWM应用。 一般特点 ●VDS=30V,ID=4.2A RDS（ON）<130mΩ@ VGS=-2.5V RDS（ON）的75mΩ@ VGS=-4.5V RDS（ON）<55mΩ@ VGS=-10V ●高功率和电流移交能力 ●无铅产品 ●表面贴装封装 应用 ●PWM应用 ●负荷开关 ●电源管理 MOSFET的电路符号 常用于MOSFET的电路符号有很多种变化，最常见的设计是以一条直线代表通道，两条和通道垂直的线代表源极与漏极，左方和通道平行而且较短的线代表栅极，如下图所示。有时也会将代表通道的直线以破折线代替，以区分增强型MOSFET（enhancement mode MOSFET）或是耗尽型MOSFET（depletion mode MOSFET）。 由于积体电路芯片上的MOSFET为四端元件，所以除了栅极、源极、漏极外，尚有一基极（Bulk或是Body）。MOSFET电路...
FNK3401|MOSFET适合用于作为负载开关
信息内容：乾野电子的产品注重发展大功率器件、功率模块和集成器件、压电陀螺仪；性能与可靠性超越同行；应用偏向高端；注重品牌和信誉。 P沟道增强模式功率MOSFET的描述 3401采用先进沟道技术，提供优良的RDS（ON），低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V.这个装置是适合用于作为负载开关或PWM应用。 一般特点 ●VDS=30V,ID=4.2A RDS（ON）<130mΩ@ VGS=-2.5V RDS（ON）的75mΩ@ VGS=-4.5V RDS（ON）<55mΩ@ VGS=-10V ●高功率和电流移交能力 ●无铅产品 ●表面贴装封装 应用 ●PWM应用 ●负荷开关 ●电源管理 MOSFET的概述 从目前的角度来看MOSFET的命名，事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET里代表"metal"的个字母M在当下大部分同类的元件里是不存在的。早期MOSFET的栅极（gate electrode）使用金属作为其材料，但随著半导体技术的进步，随后MOSFET栅极使用多晶硅取代了金属。在处理器中，多晶硅栅已经不是主流技术，从英特尔采用45纳米线宽的P1266处理器开始，栅极开始重新使用金属。 MOSFET在概念上属于"绝缘栅极场效晶体管"（Insulated...
