FNK3407|场效应管性价比
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FNK3407 | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | SOT-23 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 |
乾野电子是中国研发成功并上量销售650V 超结-MOSFET（SJ-MOSFET）的设计公司，目标成为客户全球价值的功率半导体器件与服务供应商。
FNK P沟道增强模式功率MOSFET
参数说明
采用先进沟道技术，提供优良的RDS（ON），此设备是适合作为负载开关或PWM应用。
一般特点
●VDS=30V,ID=4.1A
RDS（ON）<95mΩ@ VGS=-4.5V
RDS（ON）<65mΩ@ VGS=-10V
●高功率和电流移交能力
●无铅产品被收购
●表面贴装封装
产品应用
●PWM应用
●负荷开关
●电源管理
场效应管特点
（1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS（栅源电压）来控制ID（漏极电流）；
（2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。
（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；
（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；
（5）场效应管的抗辐射能力强；
（6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。
- 所属城市：广东 惠州
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FNK3407|场效应管采用先进沟道技术
信息内容：乾野电子专注于各产品的应用行业和领域的研究和并达到精通，使产品性能的利用达到化和化。 FNK P沟道增强模式功率MOSFET 参数说明 采用先进沟道技术，提供优良的RDS（ON），此设备是适合作为负载开关或PWM应用。 一般特点 ●VDS=30V,ID=4.1A RDS（ON）<95mΩ@ VGS=-4.5V RDS（ON）<65mΩ@ VGS=-10V ●高功率和电流移交能力 ●无铅产品被收购 ●表面贴装封装 产品应用 ●PWM应用 ●负荷开关 ●电源管理 场效应管介绍 场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^8~10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
FNK3407|MOSFET提供优良的RDS
信息内容：乾野电子成功的秘诀是利用自身能融汇贯通器件与工艺设计的技术优势，专注与国际的8"芯片代工厂、封装与测试代工厂的紧密合作，通过保证产品在生产和测试过程中的质量控制，确保大批量生产中，产品的持续优质和稳定供货。 FNK P沟道增强模式功率MOSFET 参数说明 采用先进沟道技术，提供优良的RDS（ON），此设备是适合作为负载开关或PWM应用。 一般特点 ●VDS=30V,ID=4.1A RDS（ON）<95mΩ@ VGS=-4.5V RDS（ON）<65mΩ@ VGS=-10V ●高功率和电流移交能力 ●无铅产品被收购 ●表面贴装封装 产品应用 ●PWM应用 ●负荷开关 ●电源管理 MOSFET在概念上属于"绝缘栅极场效晶体管"（Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET），而IGFET的栅极绝缘层有可能是其他物质而非MOSFET使用的氧化层。有些人在提到拥有多晶硅栅极的场效晶体管元件时比较喜欢用IGFET,但是这些IGFET多半指的是MOSFET.
