FNK3407|MOSFET提供优良的RDS
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FNK3407 | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | SOT-23 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 |
乾野电子成功的秘诀是利用自身能融汇贯通器件与工艺设计的技术优势，专注与国际的8"芯片代工厂、封装与测试代工厂的紧密合作，通过保证产品在生产和测试过程中的质量控制，确保大批量生产中，产品的持续优质和稳定供货。
FNK P沟道增强模式功率MOSFET
参数说明
采用先进沟道技术，提供优良的RDS（ON），此设备是适合作为负载开关或PWM应用。
一般特点
●VDS=30V,ID=4.1A
RDS（ON）<95mΩ@ VGS=-4.5V
RDS（ON）<65mΩ@ VGS=-10V
●高功率和电流移交能力
●无铅产品被收购
●表面贴装封装
产品应用
●PWM应用
●负荷开关
●电源管理
MOSFET在概念上属于"绝缘栅极场效晶体管"（Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET），而IGFET的栅极绝缘层有可能是其他物质而非MOSFET使用的氧化层。有些人在提到拥有多晶硅栅极的场效晶体管元件时比较喜欢用IGFET,但是这些IGFET多半指的是MOSFET.
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FNK3407|环保无铅MOSFET原装
信息内容：乾野电子在目前（20V-250V）大功率Trench-MOS 器件、（500V-650V）SJ-MOS器件、普通高压MOS器件（600V）已量产与销售， 并取得国内和国际的多项技术。 FNK P沟道增强模式功率MOSFET 参数说明 采用先进沟道技术，提供优良的RDS（ON），此设备是适合作为负载开关或PWM应用。 一般特点 ●VDS=30V,ID=4.1A RDS（ON）<95mΩ@ VGS=-4.5V RDS（ON）<65mΩ@ VGS=-10V ●高功率和电流移交能力 ●无铅产品 ●表面贴装封装 产品应用 ●PWM应用 ●负荷开关 ●电源管理 MOSFET的概述 从目前的角度来看MOSFET的命名，事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET里代表"metal"的个字母M在当下大部分同类的元件里是不存在的。早期MOSFET的栅极（gate electrode）使用金属作为其材料，但随著半导体技术的进步，随后MOSFET栅极使用多晶硅取代了金属。在处理器中，多晶硅栅已经不是主流技术，从英特尔采用45纳米线宽的P1266处理器开始，栅极开始重新使用金属。
FNK3407|MOS管P沟道增强模式功率MOSFET
信息内容：惠州市乾野电子有限公司（简称FNK-TECH） 成立于2003 年，从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售，是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。 FNK P沟道增强模式功率MOSFET 参数说明 采用先进沟道技术，提供优良的RDS（ON），此设备是适合作为负载开关或PWM应用。 一般特点 ●VDS=30V,ID=4.1A RDS（ON）<95mΩ@ VGS=-4.5V RDS（ON）<65mΩ@ VGS=-10V ●高功率和电流移交能力 ●无铅产品被收购 ●表面贴装封装 产品应用 ●PWM应用 ●负荷开关 ●电源管理
