FNK3407|MOS管P沟道增强模式功率MOSFET
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FNK3407 | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | SOT-23 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 |
惠州市乾野电子有限公司（简称FNK-TECH） 成立于2003 年，从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售，是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。
FNK P沟道增强模式功率MOSFET
参数说明
采用先进沟道技术，提供优良的RDS（ON），此设备是适合作为负载开关或PWM应用。
一般特点
●VDS=30V,ID=4.1A
RDS（ON）<95mΩ@ VGS=-4.5V
RDS（ON）<65mΩ@ VGS=-10V
●高功率和电流移交能力
●无铅产品被收购
●表面贴装封装
产品应用
●PWM应用
●负荷开关
●电源管理
- 所属城市：广东 惠州
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FNK3401|场效应管确保大批量生产中
信息内容：乾野电子成功的秘诀是利用自身能融汇贯通器件与工艺设计的技术优势，专注与国际的8"芯片代工厂、封装与测试代工厂的紧密合作，通过保证产品在生产和测试过程中的质量控制，确保大批量生产中，产品的持续优质和稳定供货。 P沟道增强模式功率MOSFET的描述 3401采用先进沟道技术，提供优良的RDS（ON），低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V.这个装置是适合用于作为负载开关或PWM应用。 一般特点 ●VDS=30V,ID=4.2A RDS（ON）<130mΩ@ VGS=-2.5V RDS（ON）的75mΩ@ VGS=-4.5V RDS（ON）<55mΩ@ VGS=-10V ●高功率和电流移交能力 ●无铅产品 ●表面贴装封装 应用 ●PWM应用 ●负荷开关 ●电源管理
FNK3401|场效应管低栅极电荷
信息内容：乾野电子专注于各产品的应用行业和领域的研究和并达到精通，使产品性能的利用达到化和化。 P沟道增强模式功率MOSFET的描述 3401采用先进沟道技术，提供优良的RDS（ON），低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V.这个装置是适合用于作为负载开关或PWM应用。 一般特点 ●VDS=30V,ID=4.2A RDS（ON）<130mΩ@ VGS=-2.5V RDS（ON）的75mΩ@ VGS=-4.5V RDS（ON）<55mΩ@ VGS=-10V ●高功率和电流移交能力 ●无铅产品 ●表面贴装封装 应用 ●PWM应用 ●负荷开关 ●电源管理 场效应管特点 （1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS（栅源电压）来控制ID（漏极电流）； （2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。 （3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好； （4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数； （5）场效应管的抗辐射能力强； （6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。
