FNK3407|场效应管采用先进沟道技术
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FNK3407 | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | SOT-23 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 |
乾野电子专注于各产品的应用行业和领域的研究和并达到精通，使产品性能的利用达到化和化。
FNK P沟道增强模式功率MOSFET
参数说明
采用先进沟道技术，提供优良的RDS（ON），此设备是适合作为负载开关或PWM应用。
一般特点
●VDS=30V,ID=4.1A
RDS（ON）<95mΩ@ VGS=-4.5V
RDS（ON）<65mΩ@ VGS=-10V
●高功率和电流移交能力
●无铅产品被收购
●表面贴装封装
产品应用
●PWM应用
●负荷开关
●电源管理
场效应管介绍
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^8~10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
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FNK3407|MOSFET提供优良的RDS
信息内容：乾野电子成功的秘诀是利用自身能融汇贯通器件与工艺设计的技术优势，专注与国际的8"芯片代工厂、封装与测试代工厂的紧密合作，通过保证产品在生产和测试过程中的质量控制，确保大批量生产中，产品的持续优质和稳定供货。 FNK P沟道增强模式功率MOSFET 参数说明 采用先进沟道技术，提供优良的RDS（ON），此设备是适合作为负载开关或PWM应用。 一般特点 ●VDS=30V,ID=4.1A RDS（ON）<95mΩ@ VGS=-4.5V RDS（ON）<65mΩ@ VGS=-10V ●高功率和电流移交能力 ●无铅产品被收购 ●表面贴装封装 产品应用 ●PWM应用 ●负荷开关 ●电源管理 MOSFET在概念上属于"绝缘栅极场效晶体管"（Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET），而IGFET的栅极绝缘层有可能是其他物质而非MOSFET使用的氧化层。有些人在提到拥有多晶硅栅极的场效晶体管元件时比较喜欢用IGFET,但是这些IGFET多半指的是MOSFET.
FNK3407|环保无铅MOSFET原装
信息内容：乾野电子在目前（20V-250V）大功率Trench-MOS 器件、（500V-650V）SJ-MOS器件、普通高压MOS器件（600V）已量产与销售， 并取得国内和国际的多项技术。 FNK P沟道增强模式功率MOSFET 参数说明 采用先进沟道技术，提供优良的RDS（ON），此设备是适合作为负载开关或PWM应用。 一般特点 ●VDS=30V,ID=4.1A RDS（ON）<95mΩ@ VGS=-4.5V RDS（ON）<65mΩ@ VGS=-10V ●高功率和电流移交能力 ●无铅产品 ●表面贴装封装 产品应用 ●PWM应用 ●负荷开关 ●电源管理 MOSFET的概述 从目前的角度来看MOSFET的命名，事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET里代表"metal"的个字母M在当下大部分同类的元件里是不存在的。早期MOSFET的栅极（gate electrode）使用金属作为其材料，但随著半导体技术的进步，随后MOSFET栅极使用多晶硅取代了金属。在处理器中，多晶硅栅已经不是主流技术，从英特尔采用45纳米线宽的P1266处理器开始，栅极开始重新使用金属。
