FNK30P50G|沟道增强模式功率MOSFET
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FNK30P50G | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | 5x6 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 |
乾野电子产品注重发展大功率器件、功率模块和集成器件、压电陀螺仪；性能与可靠性超越同行；应用偏向高端；注重品牌和信誉。
P沟道增强模式功率MOSFET
描述：FNK30P50G采用先进的沟槽技术和设计提供出色的RDS（ON）低栅极电荷。它可用于各种各样的应用中。
一般特点
●VDS=30V,ID=-50A
RDS（ON）<5.5mΩ@ VGS=-10V
●高密度电池设计超低导通电阻
●全雪崩电压和电流
●良好的稳定性和均匀性，高EAS
●良好的散热性能的包装
●特殊工艺技术，高ESD能力
应用
●电池和负载开关
- 所属城市：广东 惠州
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 吉先生
- 电话：0752-7777240
- 传真：0752-7777695
- 手机：13380690588
- QQ ：
FNK3407|场效应管性价比
信息内容：乾野电子是中国研发成功并上量销售650V 超结-MOSFET（SJ-MOSFET）的设计公司，目标成为客户全球价值的功率半导体器件与服务供应商。 FNK P沟道增强模式功率MOSFET 参数说明 采用先进沟道技术，提供优良的RDS（ON），此设备是适合作为负载开关或PWM应用。 一般特点 ●VDS=30V,ID=4.1A RDS（ON）<95mΩ@ VGS=-4.5V RDS（ON）<65mΩ@ VGS=-10V ●高功率和电流移交能力 ●无铅产品被收购 ●表面贴装封装 产品应用 ●PWM应用 ●负荷开关 ●电源管理 场效应管特点 （1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS（栅源电压）来控制ID（漏极电流）； （2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。 （3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好； （4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数； （5）场效应管的抗辐射能力强； （6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。
FNK3407|场效应管采用先进沟道技术
信息内容：乾野电子专注于各产品的应用行业和领域的研究和并达到精通，使产品性能的利用达到化和化。 FNK P沟道增强模式功率MOSFET 参数说明 采用先进沟道技术，提供优良的RDS（ON），此设备是适合作为负载开关或PWM应用。 一般特点 ●VDS=30V,ID=4.1A RDS（ON）<95mΩ@ VGS=-4.5V RDS（ON）<65mΩ@ VGS=-10V ●高功率和电流移交能力 ●无铅产品被收购 ●表面贴装封装 产品应用 ●PWM应用 ●负荷开关 ●电源管理 场效应管介绍 场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^8~10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
