FNK10N25SC|MOSFET高温焊接保证
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FNK10N25SC | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | TSSOP8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 |
乾野电子产品注重发展大功率器件、功率模块和集成器件、压电陀螺仪；性能与可靠性超越同行；应用偏向高端；注重品牌和信誉。
参数说明：
箱体：TSSOP-8封装
终端：信息每焊MIL-STD-750,
方法2026
高温焊接保证：
在码头250°C/10秒
安装位置：任意
重量：0.5g
特点
●先进沟道工艺技术
●高密度电池设计超低
导通电阻
●专为锂离子电池组使用
●专为电池开关应用
MOSFET的应用优势
MOSFET在1960年由贝尔实验室（Bell Lab.）的D. Kahng和 Martin Atalla首次实作成功，这种元件的操作原理和1947年萧克莱（William Shockley）等人发明的双载子晶体管（Bipolar Junction Transistor,BJT）截然不同，且因为制造成本低廉与使用面积较小、高整合度的优势，在大型集成电路（Large-Scale Integrated Circuits,LSI）或是超大型集成电路（Very Large-Scale Integrated Circuits,VLSI）的领域里，重要性远超过BJT.
由于MOSFET元件的性能逐渐提升，除了传统上应用于诸如微处理器、微控制器等数位讯号处理的场合上，也有越来越多类比讯号处理的积体电路可以用MOSFET来实现。
- 所属城市：广东 惠州
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FNK8205|场效应管作为电池保护
信息内容：乾野电子从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售，是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。 一般特点 ●FNK8205采用先进的沟槽技术 ●VDS=20V,ID= 4AΩ@VGSΩ@ VGS= 4.5V ●高功率和电流移交能力 ●无铅产品 ●表面贴装封装 提供优良的RDS（ON），低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V.这个装置是适合用于作为电池保护，或在其他的开关中的应用。 应用 ●电池保护 ●负荷开关 ●电源管理
FNK8205|场效应管应用电源管理
信息内容：乾野电子从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售，是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。 一般特点 ●FNK8205采用先进的沟槽技术 ●VDS=20V,ID= 4AΩ@VGSΩ@ VGS= 4.5V ●高功率和电流移交能力 ●无铅产品 ●表面贴装封装 提供优良的RDS（ON），低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V.这个装置是适合用于作为电池保护，或在其他的开关中的应用。 应用 ●电池保护 ●负荷开关 ●电源管理 场效应管特点 （1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS（栅源电压）来控制ID（漏极电流）； （2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。 （3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好； （4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数； （5）场效应管的抗辐射能力强； （6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。
