乾野电子从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售,是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。
一般特点
●FNK8205采用先进的沟槽技术
●VDS=20V,ID= 4AΩ@VGSΩ@ VGS= 4.5V
●高功率和电流移交能力
●无铅产品
●表面贴装封装
提供优良的RDS(ON),低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V.这个装置是适合用于作为电池保护,或在其他的开关中的应用。
应用
●电池保护
●负荷开关
●电源管理
乾野电子从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售,是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。 一般特点 ●FNK8205采用先进的沟槽技术 ●VDS=20V,ID= 4AΩ@VGSΩ@ VGS= 4.5V ●高功率和电流移交能力 ●无铅产品 ●表面贴装封装 提供优良的RDS(ON),低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V.这个装置是适合用于作为电池保护,或在其他的开关中的应用。 应用 ●电池保护 ●负荷开关 ●电源管理 场效应管特点 (1)场效应管是电压控制器件,它通过VGS(栅源电压)来控制ID(漏极电流); (2)场效应管的输入端电流极小,因此它的输入电阻很大。 (3)它是利用多数载流子导电,因此它的温度稳定性较好; (4)它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数; (5)场效应管的抗辐射能力强; (6)由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声,所以噪声低。
乾野电子是中国研发成功并上量销售650V 超结-MOSFET(SJ-MOSFET)的设计公司,目标成为客户全球价值的功率半导体器件与服务供应商。 一般特点 ●FNK8205采用先进的沟槽技术 ●VDS=20V,ID= 4AΩ@VGSΩ@ VGS= 4.5V ●高功率和电流移交能力 ●无铅产品 ●表面贴装封装 提供优良的RDS(ON),低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V.这个装置是适合用于作为电池保护,或在其他的开关中的应用。 应用 ●电池保护 ●负荷开关 ●电源管理 MOSFET的介绍 金属-氧化层-半导体-场效晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其"通道"的极性不同,可分为n-type与p-type的MOSFET,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。