FNK8205|场效应管应用电源管理
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FNK8205 | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | TSSOP8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 |
乾野电子从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售，是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。
一般特点
●FNK8205采用先进的沟槽技术
●VDS=20V,ID= 4AΩ@VGSΩ@ VGS= 4.5V
●高功率和电流移交能力
●无铅产品
●表面贴装封装
提供优良的RDS（ON），低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V.这个装置是适合用于作为电池保护，或在其他的开关中的应用。
应用
●电池保护
●负荷开关
●电源管理
场效应管特点
（1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS（栅源电压）来控制ID（漏极电流）；
（2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。
（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；
（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；
（5）场效应管的抗辐射能力强；
（6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。
- 所属城市：广东 惠州
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- 联系人： 吉先生
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FNK8205|MOSFET无铅环保
信息内容：乾野电子是中国研发成功并上量销售650V 超结-MOSFET（SJ-MOSFET）的设计公司，目标成为客户全球价值的功率半导体器件与服务供应商。 一般特点 ●FNK8205采用先进的沟槽技术 ●VDS=20V,ID= 4AΩ@VGSΩ@ VGS= 4.5V ●高功率和电流移交能力 ●无铅产品 ●表面贴装封装 提供优良的RDS（ON），低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V.这个装置是适合用于作为电池保护，或在其他的开关中的应用。 应用 ●电池保护 ●负荷开关 ●电源管理 MOSFET的介绍 金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其"通道"的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。
FNK8205|MOSFET供货稳定
信息内容：乾野电子成功的秘诀是利用自身能融汇贯通器件与工艺设计的技术优势，专注与国际的8"芯片代工厂、封装与测试代工厂的紧密合作，通过保证产品在生产和测试过程中的质量控制，确保大批量生产中，产品的持续优质和稳定供货；同时专注于各产品的应用行业和领域的研究和并达到精通，使产品性能的利用达到化和化。 一般特点 ●FNK8205采用先进的沟槽技术 ●VDS=20V,ID= 4AΩ@VGSΩ@ VGS= 4.5V ●高功率和电流移交能力 ●无铅产品 ●表面贴装封装 提供优良的RDS（ON），低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V.这个装置是适合用于作为电池保护，或在其他的开关中的应用。 应用 ●电池保护 ●负荷开关 ●电源管理 MOSFET的概述 从目前的角度来看MOSFET的命名，事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET里代表"metal"的个字母M在当下大部分同类的元件里是不存在的。早期MOSFET的栅极（gate electrode）使用金属作为其材料，但随著半导体技术的进步，随后MOSFET栅极使用多晶硅取代了金属。在处理器中，多晶硅栅已经不是主流技术，从英特尔采用45纳米线宽的P1266处理器开始，...
