中低压mosfet驱动电路
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FNK5530PK | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | TO-252 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 |
乾野电子主营范围：超结MOSFET,中低压MOSFET,高压MOSFET,51单片机系列。
MOSFET的参数介绍
|
Parameter |
Symbol |
Limit |
Unit |
|
Drain-Source Voltage |
VDS |
-55 |
V |
|
Gate-Source Voltage |
VGS |
±20 |
V |
|
Drain Current-Continuous |
ID |
-30 |
A |
|
Drain Current-Continuous(TC=100℃) |
ID (100℃) |
-21 |
A |
|
Pulsed Drain Current |
IDM |
110 |
A |
|
Maximum Power Dissipation |
PD |
90 |
W |
|
Derating factor |
|
0.72 |
W/℃ |
|
Single pulse avalanche energy (Note 5) |
EAS |
420 |
mJ |
|
Parameter |
Symbol |
Condition |
Min |
Typ |
Max |
Unit |
|
Off Characteristics |
||||||
|
Drain-Source Breakdown Voltage |
BVDSS |
VGS=0V ID=-250μA |
-55 |
- |
- |
V |
|
Zero Gate Voltage Drain Current |
IDSS |
VDS=-55V,VGS=0V |
- |
- |
1 |
μA |
|
Gate-Body Leakage Current |
IGSS |
VGS=±20V,VDS=0V |
- |
- |
±100 |
nA |
|
On Characteristics (Note 3) |
||||||
|
Gate Threshold Voltage |
VGS(th) |
VDS=VGS,ID=-250μA |
-2 |
-3 |
-4 |
V |
|
Drain-Source On-State Resistance |
RDS(ON) |
VGS=-10V, ID=-15A |
- |
30 |
40 |
mΩ |
|
Forward Transconductance |
gFS |
VDS=-25V,ID=-16A |
8 |
- |
- |
S |
|
Dynamic Characteristics (Note4) |
||||||
过去数十年来，MOSFET的尺寸不断地变小。早期的积体电路MOSFET制程里，通道长度约在几个微米（micrometer）的等级。但是到了今日的积体电路制程，这个参数已经缩小了几十倍甚至超过一百倍。2006年初，Intel开始以65纳米（nanometer）的技术来制造新一代的微处理器，实际的元件通道长度可能比这个数字还小一些。至90年代末，MOSFET尺寸不断缩小，让积体电路的效能大大提升，而从历史的角度来看，这些技术上的突破和半导体制程的进步有著密不可分的关系。
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中低压mosfet型号|齐全热卖
信息内容：乾野电子主营范围：超结MOSFET,中低压MOSFET,高压MOSFET,51单片机系列。 MOSFET的参数介绍 Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS -55 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Drain Current-Continuous ID -30 A Drain Current-Continuous(TC=100℃) ID (100℃) -21 A Pulsed Drain Current IDM ...
中低压mosfet驱动芯片
信息内容：乾野电子主营范围：超结MOSFET,中低压MOSFET,高压MOSFET,51单片机系列。 MOSFET的参数介绍 Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS -55 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Drain Current-Continuous ID -30 A Drain Current-Continuous(TC=100℃) ID (100℃) -21 A Pulsed Drain Current IDM ...
