中低压mosfet型号|齐全热卖
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FNK5530PK | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | TO-252 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 |
乾野电子主营范围：超结MOSFET,中低压MOSFET,高压MOSFET,51单片机系列。
MOSFET的参数介绍
|
Parameter |
Symbol |
Limit |
Unit |
|
Drain-Source Voltage |
VDS |
-55 |
V |
|
Gate-Source Voltage |
VGS |
±20 |
V |
|
Drain Current-Continuous |
ID |
-30 |
A |
|
Drain Current-Continuous(TC=100℃) |
ID (100℃) |
-21 |
A |
|
Pulsed Drain Current |
IDM |
110 |
A |
|
Maximum Power Dissipation |
PD |
90 |
W |
|
Derating factor |
|
0.72 |
W/℃ |
|
Single pulse avalanche energy (Note 5) |
EAS |
420 |
mJ |
|
Parameter |
Symbol |
Condition |
Min |
Typ |
Max |
Unit |
|
Off Characteristics |
||||||
|
Drain-Source Breakdown Voltage |
BVDSS |
VGS=0V ID=-250μA |
-55 |
- |
- |
V |
|
Zero Gate Voltage Drain Current |
IDSS |
VDS=-55V,VGS=0V |
- |
- |
1 |
μA |
|
Gate-Body Leakage Current |
IGSS |
VGS=±20V,VDS=0V |
- |
- |
±100 |
nA |
|
On Characteristics (Note 3) |
||||||
|
Gate Threshold Voltage |
VGS(th) |
VDS=VGS,ID=-250μA |
-2 |
-3 |
-4 |
V |
|
Drain-Source On-State Resistance |
RDS(ON) |
VGS=-10V, ID=-15A |
- |
30 |
40 |
mΩ |
|
Forward Transconductance |
gFS |
VDS=-25V,ID=-16A |
8 |
- |
- |
S |
|
Dynamic Characteristics (Note4) |
||||||
基于以下几个理由，我们希望MOSFET的尺寸能越小越好。，越小的MOSFET象征其通道长度减少，让通道的等效电阻也减少，可以让更多电流通过。虽然通道宽度也可能跟著变小而让通道等效电阻变大，但是如果能降低单位电阻的大小，那么这个问题就可以解决。其次，MOSFET的尺寸变小意味著栅极面积减少，如此可以降低等效的栅极电容。此外，越小的栅极通常会有更薄的栅极氧化层，这可以让前面提到的通道单位电阻值降低。不过这样的改变同时会让栅极电容反而变得较大，但是和减少的通道电阻相比，获得的好处仍然多过坏处，而MOSFET在尺寸缩小后的切换速度也会因为上面两个因素加总而变快。第三个理由是MOSFET的面积越小，制造芯片的成本就可以降低，在同样的封装里可以装下更高密度的芯片。一片积体电路制程使用的晶圆尺寸是固定的，所以如果芯片面积越小，同样大小的晶圆就可以产出更多的芯片，于是成本就变得更低了。
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中低压mosfet驱动芯片
信息内容：乾野电子主营范围：超结MOSFET,中低压MOSFET,高压MOSFET,51单片机系列。 MOSFET的参数介绍 Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS -55 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Drain Current-Continuous ID -30 A Drain Current-Continuous(TC=100℃) ID (100℃) -21 A Pulsed Drain Current IDM ...
中低压mosfet驱动|MOS管价格
信息内容：乾野电子主营范围：超结MOSFET,中低压MOSFET,高压MOSFET,51单片机系列。 MOSFET的参数介绍 Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS -55 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Drain Current-Continuous ID -30 A Drain Current-Continuous(TC=100℃) ID (100℃) -21 A Pulsed Drain Current IDM ...
