mosfet代理,,厂商生产mosfet管|代理批发
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FNK4007PS | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | SOP-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 |
乾野电子目前的产品（20V-250V）大功率Trench-MOS 器件、（500V-650V）SJ-MOS器件、普通高压MOS器件（600V）已量产与销售， 并取得国内和国际的多项技术。
mosfet管的产品参数
|
Parameter |
Symbol |
Limit |
Unit |
|
Drain-Source Voltage |
VDS |
-40 |
V |
|
Gate-Source Voltage |
VGS |
±20 |
V |
|
Drain Current-Continuous |
ID |
-6.2 |
A |
|
Drain Current-Continuous(TC=100℃) |
ID (100℃) |
-4 |
A |
|
Pulsed Drain Current |
IDM |
40 |
A |
|
Maximum Power Dissipation |
PD |
2.5 |
W |
|
Operating Junction and Storage Temperature Range |
TJ,TSTG |
-55 To 150 |
℃ |
|
Parameter |
Symbol |
Condition |
Min |
Typ |
Max |
Unit |
|
Off Characteristics |
||||||
|
Drain-Source Breakdown Voltage |
BVDSS |
VGS=0V ID=-250μA |
-40 |
- |
- |
V |
|
Zero Gate Voltage Drain Current |
IDSS |
VDS=-40V,VGS=0V |
- |
- |
1 |
μA |
|
Gate-Body Leakage Current |
IGSS |
VGS=±20V,VDS=0V |
- |
- |
±100 |
nA |
|
On Characteristics (Note 3) |
||||||
|
Gate Threshold Voltage |
VGS(th) |
VDS=VGS,ID=-250μA |
-1.1 |
-1.7 |
-2.5 |
V |
|
Drain-Source On-State Resistance |
RDS(ON) |
VGS=-10V, ID=-5A |
- |
16 |
25 |
mΩ |
|
VGS=-4.5V, ID=-5A |
- |
21 |
30 |
mΩ |
||
|
Forward Transconductance |
gFS |
VDS=-5V,ID=-5A |
20 |
- |
- |
S |
双重MOSFET（CMOS）开关
为了改善前述单一MOSFET开关造成讯号失真的缺点，于是使用一个PMOS加上一个NMOS的CMOS开关成为目前最普遍的做法。CMOS开关将PMOS与NMOS的源极与漏极分别连接在一起，而基极的接法则和NMOS与PMOS的传统接法相同。当输入电压在（VDD-Vthn）和（VSS+Vthp）时，PMOS与NMOS都导通，而输入小于（VSS+Vthp）时，只有NMOS导通，输入大于（VDD-Vthn）时只有PMOS导通。这样做的好处是在大部分的输入电压下，PMOS与NMOS皆同时导通，如果任一边的导通电阻上升，则另一边的导通电阻就会下降，所以开关的电阻几乎可以保持定值，减少讯号失真。
- 所属城市：广东 惠州
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信息内容：乾野电子成功的秘诀是利用自身能融汇贯通器件与工艺设计的技术优势，专注与国际的8"芯片代工厂、封装与测试代工厂的紧密合作，通过保证产品在生产和测试过程中的质量控制，确保大批量生产中，产品的持续优质和稳定供货；同时专注于各产品的应用行业和领域的研究和并达到精通，使产品性能的利用达到化和化。 mosfet管的产品参数 Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS -40 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Drain Current-Continuous ID -6.2 A Drain Current-Continuous(TC=100℃)...
mosfet型号,厂商生产批发mosfet型号FNK4007PS
信息内容：乾野电子是中国研发成功并上量销售650V 超结-MOSFET（SJ-MOSFET）的设计公司，目标成为客户全球价值的功率半导体器件与服务供应商。 mosfet管的产品参数 Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS -40 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Drain Current-Continuous ID -6.2 A Drain Current-Continuous(TC=100℃) ID (100℃) -4 A Pulsed Drain Current ...
