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mosfet代理商,代理商批发热卖mosfet管

价 格: 面议
型号/规格:FNK4007PS
品牌/商标:FNK
封装形式:SOP-8
环保类别:无铅环保型
安装方式:贴片式
包装方式:卷带编带包装

  乾野电子成功的秘诀是利用自身能融汇贯通器件与工艺设计的技术优势,专注与国际的8"芯片代工厂、封装与测试代工厂的紧密合作,通过保证产品在生产和测试过程中的质量控制,确保大批量生产中,产品的持续优质和稳定供货;同时专注于各产品的应用行业和领域的研究和并达到精通,使产品性能的利用达到化和化。

 

  mosfet管的产品参数

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

VDS

-40

V

Gate-Source Voltage

VGS

±20

V

Drain Current-Continuous

ID

-6.2

A

Drain Current-Continuous(TC=100)

ID (100)

-4

A

Pulsed Drain Current

IDM

40

A

Maximum Power Dissipation

PD

2.5

W

Operating Junction and Storage Temperature Range

TJ,TSTG

-55 To 150

 

Parameter

Symbol

Condition

Min

Typ

Max

Unit

Off Characteristics

Drain-Source Breakdown Voltage

BVDSS

VGS=0V ID=-250μA

-40

-

-

V

Zero Gate Voltage Drain Current

IDSS

VDS=-40V,VGS=0V

-

-

1

μA

Gate-Body Leakage Current

IGSS

VGS=±20V,VDS=0V

-

-

±100

nA

On Characteristics (Note 3)

Gate Threshold Voltage

VGS(th)

VDS=VGS,ID=-250μA

-1.1

-1.7

-2.5

V

Drain-Source On-State Resistance

RDS(ON)

VGS=-10V, ID=-5A

-

16

25

VGS=-4.5V, ID=-5A

-

21

30

Forward Transconductance

gFS

VDS=-5V,ID=-5A

20

-

-

S

 

  当NMOS用来做开关时,其基极接地,栅极为控制开关的端点。当栅极电压减去源极电压超过其导通的临界电压时,此开关的状态为导通。栅极电压继续升高,则NMOS能通过的电流就更大。NMOS做开关时操作在线性区,因为源极与漏极的电压在开关为导通时会趋向一致。

惠州市乾野电子有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 惠州
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 吉先生
  • 电话:0752-7777240
  • 传真:0752-7777695
  • 手机:13380690588
  • QQ :QQ:2868227183QQ:283893409
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乾野电子是中国研发成功并上量销售650V 超结-MOSFET(SJ-MOSFET)的设计公司,目标成为客户全球价值的功率半导体器件与服务供应商。   mosfet管的产品参数 Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS -40 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Drain Current-Continuous ID -6.2 A Drain Current-Continuous(TC=100℃) ID (100℃) -4 A Pulsed Drain Current ...

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mosfet驱动电路,mosfet管|价格便宜

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乾野电子主营范围:超结MOSFET,中低压MOSFET,高压MOSFET,51单片机系列。   mosfet管的产品参数 Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS -40 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Drain Current-Continuous ID -6.2 A Drain Current-Continuous(TC=100℃) ID (100℃) -4 A Pulsed Drain Current IDM ...

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