mosfet型号,厂商生产批发mosfet型号FNK4007PS
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FNK4007PS | |
| 品牌/商标： | SOP-8 | |
| 封装形式： | SOP-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 |
乾野电子是中国研发成功并上量销售650V 超结-MOSFET（SJ-MOSFET）的设计公司，目标成为客户全球价值的功率半导体器件与服务供应商。
mosfet管的产品参数
|
Parameter |
Symbol |
Limit |
Unit |
|
Drain-Source Voltage |
VDS |
-40 |
V |
|
Gate-Source Voltage |
VGS |
±20 |
V |
|
Drain Current-Continuous |
ID |
-6.2 |
A |
|
Drain Current-Continuous(TC=100℃) |
ID (100℃) |
-4 |
A |
|
Pulsed Drain Current |
IDM |
40 |
A |
|
Maximum Power Dissipation |
PD |
2.5 |
W |
|
Operating Junction and Storage Temperature Range |
TJ,TSTG |
-55 To 150 |
℃ |
|
Parameter |
Symbol |
Condition |
Min |
Typ |
Max |
Unit |
|
Off Characteristics |
||||||
|
Drain-Source Breakdown Voltage |
BVDSS |
VGS=0V ID=-250μA |
-40 |
- |
- |
V |
|
Zero Gate Voltage Drain Current |
IDSS |
VDS=-40V,VGS=0V |
- |
- |
1 |
μA |
|
Gate-Body Leakage Current |
IGSS |
VGS=±20V,VDS=0V |
- |
- |
±100 |
nA |
|
On Characteristics (Note 3) |
||||||
|
Gate Threshold Voltage |
VGS(th) |
VDS=VGS,ID=-250μA |
-1.1 |
-1.7 |
-2.5 |
V |
|
Drain-Source On-State Resistance |
RDS(ON) |
VGS=-10V, ID=-5A |
- |
16 |
25 |
mΩ |
|
VGS=-4.5V, ID=-5A |
- |
21 |
30 |
mΩ |
||
|
Forward Transconductance |
gFS |
VDS=-5V,ID=-5A |
20 |
- |
- |
S |
MOSFET在导通时的通道电阻低，而截止时的电阻近乎无限大，所以适合作为类比讯号的开关（讯号的能量不会因为开关的电阻而损失太多）。MOSFET作为开关时，其源极与漏极的分别和其他的应用是不太相同的，因为讯号可以从MOSFET栅极以外的任一端进出。对NMOS开关而言，电压最负的一端就是源极，PMOS则正好相反，电压最正的一端是源极。MOSFET开关能传输的讯号会受到其栅极-源极、栅极-漏极，以及漏极到源极的电压限制，如果超过了电压的上限可能会导致MOSFET烧毁。
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信息内容：乾野电子主营范围：超结MOSFET,中低压MOSFET,高压MOSFET,51单片机系列。 mosfet管的产品参数 Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS -40 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Drain Current-Continuous ID -6.2 A Drain Current-Continuous(TC=100℃) ID (100℃) -4 A Pulsed Drain Current IDM ...
mosfet驱动，半导体器件与功率集成器件mosfet管
信息内容：乾野电子从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售，是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。 产品参数 Product Major INormation VTH Ron(10V)(mΩ) Ron(4.5V) (mΩ) Ron(2.5V) (mΩ) N/P Voltage Product Name Assembly BVDSS Min(V) ID(A)25℃ PW (W)25℃ Vgs(V) Typ Typ Max Typ ...
