中低压MOSFET, 中低压场效应管|MOSFET管
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FNK4007PS | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | SOP-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 |
乾野电子从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售，是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。
mosfet管的产品参数
|
Parameter |
Symbol |
Limit |
Unit |
|
Drain-Source Voltage |
VDS |
-40 |
V |
|
Gate-Source Voltage |
VGS |
±20 |
V |
|
Drain Current-Continuous |
ID |
-6.2 |
A |
|
Drain Current-Continuous(TC=100℃) |
ID (100℃) |
-4 |
A |
|
Pulsed Drain Current |
IDM |
40 |
A |
|
Maximum Power Dissipation |
PD |
2.5 |
W |
|
Operating Junction and Storage Temperature Range |
TJ,TSTG |
-55 To 150 |
℃ |
|
Parameter |
Symbol |
Condition |
Min |
Typ |
Max |
Unit |
|
Off Characteristics |
||||||
|
Drain-Source Breakdown Voltage |
BVDSS |
VGS=0V ID=-250μA |
-40 |
- |
- |
V |
|
Zero Gate Voltage Drain Current |
IDSS |
VDS=-40V,VGS=0V |
- |
- |
1 |
μA |
|
Gate-Body Leakage Current |
IGSS |
VGS=±20V,VDS=0V |
- |
- |
±100 |
nA |
|
On Characteristics (Note 3) |
||||||
|
Gate Threshold Voltage |
VGS(th) |
VDS=VGS,ID=-250μA |
-1.1 |
-1.7 |
-2.5 |
V |
|
Drain-Source On-State Resistance |
RDS(ON) |
VGS=-10V, ID=-5A |
- |
16 |
25 |
mΩ |
|
VGS=-4.5V, ID=-5A |
- |
21 |
30 |
mΩ |
||
|
Forward Transconductance |
gFS |
VDS=-5V,ID=-5A |
20 |
- |
- |
S |
MOSFET的对比
Power MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。主要优点：热稳定性好、安全工作区大。缺点：击穿电压低，工作电流小。IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。它的三个极分别是集电极（C）、发射极（E）和栅极（G）。特点：击穿电压可达1200V,集电极饱和电流已超过1500A.由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz.
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信息内容：乾野电子目前的产品（20V-250V）大功率Trench-MOS 器件、（500V-650V）SJ-MOS器件、普通高压MOS器件（600V）已量产与销售， 并取得国内和国际的多项技术。 mosfet管的产品参数 Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS -40 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Drain Current-Continuous ID -6.2 A Drain Current-Continuous(TC=100℃) ID (100℃) -4 A ...
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信息内容：乾野电子成功的秘诀是利用自身能融汇贯通器件与工艺设计的技术优势，专注与国际的8"芯片代工厂、封装与测试代工厂的紧密合作，通过保证产品在生产和测试过程中的质量控制，确保大批量生产中，产品的持续优质和稳定供货；同时专注于各产品的应用行业和领域的研究和并达到精通，使产品性能的利用达到化和化。 mosfet管的产品参数 Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS -40 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Drain Current-Continuous ID -6.2 A Drain Current-Continuous(TC=100℃)...
