mosfet报价，厂家批发mosfet管|绝缘栅极场效晶体管
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | 全系列 | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | 全系列 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 |
乾野电子是中国研发成功并上量销售650V 超结-MOSFET（SJ-MOSFET）的设计公司，目标成为客户全球价值的功率半导体器件与服务供应商。
场效应管的主要参数
Idss - 饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压UGS=0时的漏源电流。
Up - 夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。
Ut - 开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。
gM - 跨导。是表示栅源电压UGS - 对漏极电流ID的控制能力，即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数。
BVDS - 漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS.
PDSM - 耗散功率，也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。
IDSM - 漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM
MOSFET在概念上属于"绝缘栅极场效晶体管"（Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET），而IGFET的栅极绝缘层有可能是其他物质而非MOSFET使用的氧化层。有些人在提到拥有多晶硅栅极的场效晶体管元件时比较喜欢用IGFET,但是这些IGFET多半指的是MOSFET.
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信息内容：惠州市乾野电子有限公司（简称FNK-TECH） 成立于2003 年，从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售，是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。 MOSFET的参数介绍 Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS -55 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Drain Current-Continuous ID -30 A Drain Current-Continuous(TC=100℃) ID (100℃) -21 A ...
