mosfet生产,工厂生产mosfet管
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FNK5530PK | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | TO-252 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 |
惠州市乾野电子有限公司（简称FNK-TECH） 成立于2003 年，从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售，是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。
MOSFET的参数介绍
|
Parameter |
Symbol |
Limit |
Unit |
|
Drain-Source Voltage |
VDS |
-55 |
V |
|
Gate-Source Voltage |
VGS |
±20 |
V |
|
Drain Current-Continuous |
ID |
-30 |
A |
|
Drain Current-Continuous(TC=100℃) |
ID (100℃) |
-21 |
A |
|
Pulsed Drain Current |
IDM |
110 |
A |
|
Maximum Power Dissipation |
PD |
90 |
W |
|
Derating factor |
|
0.72 |
W/℃ |
|
Single pulse avalanche energy (Note 5) |
EAS |
420 |
mJ |
|
Parameter |
Symbol |
Condition |
Min |
Typ |
Max |
Unit |
|
Off Characteristics |
||||||
|
Drain-Source Breakdown Voltage |
BVDSS |
VGS=0V ID=-250μA |
-55 |
- |
- |
V |
|
Zero Gate Voltage Drain Current |
IDSS |
VDS=-55V,VGS=0V |
- |
- |
1 |
μA |
|
Gate-Body Leakage Current |
IGSS |
VGS=±20V,VDS=0V |
- |
- |
±100 |
nA |
|
On Characteristics (Note 3) |
||||||
|
Gate Threshold Voltage |
VGS(th) |
VDS=VGS,ID=-250μA |
-2 |
-3 |
-4 |
V |
|
Drain-Source On-State Resistance |
RDS(ON) |
VGS=-10V, ID=-15A |
- |
30 |
40 |
mΩ |
|
Forward Transconductance |
gFS |
VDS=-25V,ID=-16A |
8 |
- |
- |
S |
|
Dynamic Characteristics (Note4) |
||||||
MOSFET的介绍
金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其"通道"的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。
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